[实用新型]双阈值无比较器张弛振荡电路

权利要求书

1.一种双阈值无比较器张弛振荡电路，其特征在于，包括：

使能输入端；

第一与非门电路，所述第一与非门电路的第一输入端与所述使能输入端电连接，所述第一与非门电路的输出端分别与第一反相器的输入端和第二反相器的输入端电连接，所述第一反相器的输出端与使能输出端电连接；

SR锁存器，所述SR锁存器由第二与非门电路和第三与非门电路组成，且所述SR锁存器的输出端与所述第一与非门电路的第二输入端电连接；

第一反向单元，所述第一反向单元的输出端与所述SR锁存器的第一输入端电连接；

第二反向单元，所述第二反向单元的输出端与第三反相器的输入端电连接，且所述第三反相器的输出端与所述SR锁存器的第二输入端电连接；

第三反向单元，所述第三反向单元的输入端与所述第二反相器的输出端电连接；

压控单元，所述压控单元的第一端分别与所述第一反向单元的输入端，所述第二反向单元的输入端和所述第三反向单元的输出端电连接，所述压控单元的第二端与接地端电连接。

2.根据权利要求1所述的双阈值无比较器张弛振荡电路，其特征在于，所述压控单元包括：

压控电阻，所述压控电阻的第一端分别与所述第一反向单元的输入端，所述第二反向单元的输入端和所述第三反向单元的输出端电连接，所述压控电阻的第二端与电源端电连接；

电容器，所述电容器的第一端与所述压控电阻的第三端电连接，所述电容器的第二端与接地端电连接。

3.根据权利要求1所述的双阈值无比较器张弛振荡电路，其特征在于，所述压控单元包括：

电容器，所述电容器的第一端与接地端电连接；

压控NMOS管，所述压控NMOS管的源极与所述电容器的第二端电连接，所述压控NMOS管的栅极与电源端连接，所述压控NMOS管的漏极分别与所述第一反向单元的输入端，所述第二反向单元的输入端和所述第三反向单元的输出端电连接。

4.根据权利要求1所述的双阈值无比较器张弛振荡电路，其特征在于，所述第一反向单元包括：

第一PMOS管，所述第一PMOS管的源极与电源端电连接；

第一NMOS管，所述第一NMOS管的源极与接地端电连接，所述第一NMOS管的漏极分别与所述第一PMOS管的漏极和所述SR锁存器的第一输入端电连接，所述第一NMOS管的栅极分别与所述第一PMOS管的栅极，所述第二反向单元的输入端，所述第三反向单元的输出端和所述压控单元的第一端电连接。

5.根据权利要求1所述的双阈值无比较器张弛振荡电路，其特征在于，所述第二反向单元包括：

第二PMOS管，所述第二PMOS管的源极与电源端电连接；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的源极与接地端电连接，所述第二NMOS管的漏极分别与所述第二PMOS管的漏极和所述第三反相器的输入端电连接，所述第二NMOS管的栅极分别与所述第二PMOS管的栅极，所述第一反向单元的输入端，所述第三反向单元的输出端和所述压控单元的第一端电连接。

6.根据权利要求1所述的双阈值无比较器张弛振荡电路，其特征在于，所述第三反向单元包括：

第三PMOS管，所述第三PMOS管的源极与电源端电连接；

第三NMOS管，所述第三NMOS管的源极与接地端电连接，所述第三NMOS管的漏极分别与所述第三PMOS管的漏极，所述第一反向单元的输入端，所述第二反向单元的输入端和所述压控单元的第一端电连接，所述第三NMOS管的栅极分别与所述第三PMOS管的栅极和第二反相器的输出端电连接。