[实用新型]电压浪涌保护电路和电磁加热装置

说明书

本实用新型提供了一种电压浪涌保护电路和电磁加热装置，该电压浪涌保护电路包括：依次连接的整流电路(1)和目标半导体功率元件(2)，以及，与所述整流电路(1)连接的浪涌检测电路(3)，所述电压浪涌保护电路还包括：与所述目标半导体功率元件(2)连接的供电电容C1，以及，连接至所述供电电容C1的供电电容检测电路(4)；所述供电电容检测电路(4)用于在检测获知所述供电电容C1的电压大于预设阈值时，触发所述浪涌检测电路(3)，并控制所述目标半导体功率元件(2)开通或关断。本实用新型能够可靠且准确地避免负向浪涌信号的时间延长而造成的电压浪涌对半导体功率元件的损害，有效提高半导体功率元件的运行安全性及运行寿命。

技术领域

本实用新型涉及电路系统保护技术领域，具体涉及一种电压浪涌保护电路和电磁加热装置。

背景技术

电磁加热装置的电磁加热电路中用于功率转换的半导体功率元件的运行功率较大，因此需要对电路中产生的瞬态电压浪涌突变进行保护，来避免用于功率转换的半导体功率元件损坏。

电磁加热装置的电压浪涌方式一般采用单向正向浪涌方式，即当浪涌信号来临时，通过瓷片电容的瞬间短路作用，瞬间抬高浪涌检测电压，比较器翻转产生中断信号。但是实际情况并不是绝对的正向浪涌信号，遇到最多的是先会产生一个负向浪涌，再产生一个正向冲击信号。

在这种情况下，由于负向浪涌信号会迅速拉低浪涌口电平，再恢复拉高浪涌口电压，将会产生一段时间的延迟，延迟时间可以达到数个谐振周期，因而无法在半导体功率元件的浪涌最高峰前进行保护并完全依靠半导体功率元件自身进行高压耐抗，从而错过最佳的电压浪涌的保护时机。

实用新型内容

针对现有技术中的问题，本实用新型提供一种电压浪涌保护电路和电磁加热装置，能够可靠且准确地避免负向浪涌信号的时间延长而造成的电压浪涌对半导体功率元件的损害，有效提高半导体功率元件的运行安全性及运行寿命。

为解决上述技术问题，本实用新型提供以下技术方案：

第一方面，本实用新型提供一种电压浪涌保护电路，包括依次连接的整流电路和目标半导体功率元件，以及，与所述整流电路连接的浪涌检测电路，所述电压浪涌保护电路还包括：与所述目标半导体功率元件连接的供电电容C1，以及，连接至所述供电电容C1的供电电容检测电路；

所述供电电容检测电路用于在检测到所述供电电容C1的电压大于预设阈值时，触发所述浪涌检测电路，并控制所述目标半导体功率元件开通或关断。

进一步地，所述电压浪涌保护电路还包括：推挽电路，且所述推挽电路上连接有脉冲程序发生器PPG，其中，所述脉冲程序发生器PPG与目标半导体功率元件设置在同一电磁加热装置中；

所述推挽电路的输出端与所述目标半导体功率元件连接，所述推挽电路的输入端与所述供电电容检测电路连接；

相对应的，所述供电电容检测电路在控制所述目标半导体功率元件开通或关断时，还控制所述推挽电路关闭所述脉冲程序发生器PPG。

进一步地，所述供电电容检测电路包括：依次串联的电阻R31、R32和R33，以及，第一支路；

所述第一支路上依次串联有稳压二极管ZD2、电阻R34和二极管Q4；

所述电阻R31连接至供电电容C1侧；

所述稳压二极管ZD2连接在所述电阻R32和R33之间；

所述二极管Q4的集电极与所述推挽电路的输入端连接。

进一步地，所述电压浪涌保护电路还包括：分别连接所述浪涌检测电路和所述供电电容检测电路的浪涌通知电路，且所述浪涌通知电路上设有单片机端口INT；