[实用新型]一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片有效
| 申请号： | 201820612660.9 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN208284493U | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 刘兆;吕奇孟;周弘毅;杨国武;霍子曦;曹衍灿;唐浩;胡慧琴 | 申请（专利权）人： | 江西乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 330103 江西省南昌市新*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 粘附层 电极 发光二极管芯片 发光外延层 钝化层 电迁移 发光面 侧面 本实用新型 减小 覆盖 电极侧面 使用寿命 外界环境 粘附能力 裸露面 粘附 | ||
1.一种具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，包括：
发光外延层，所述发光外延层的发光面包括P型区和N型区；
设置于所述发光外延层的发光面一侧、且位于所述P型区的P型电极，及设置于所述发光外延层的发光面一侧、且位于所述N型区的N型电极；
覆盖所述P型电极的侧面的第一粘附层，及覆盖所述N型电极的侧面的第二粘附层；
以及，覆盖所述发光外延层的发光面一侧裸露面、所述第一粘附层的侧面和所述第二粘附层的侧面的钝化层。
2.根据权利要求1所述的具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一粘附层和/或所述第二粘附层为金属粘附层或TiN层。
3.根据权利要求2所述的具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，所述金属粘附层为Ti层或Al层。
4.根据权利要求1所述的具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一粘附层和所述第二粘附层的厚度范围均为5埃-500埃，包括端点值。
5.根据权利要求1所述的具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，所述第一粘附层和所述第二粘附层的侧面均为粗化面。
6.根据权利要求1所述的具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，所述钝化层为SiO2钝化层、SiN钝化层或Al2O3钝化层。
7.根据权利要求1所述的具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，所述钝化层的厚度范围为500埃-5000埃，包括端点值。
8.根据权利要求1所述的具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光外延层包括：
衬底；
位于所述衬底一侧表面的N型半导体层；
位于所述N型半导体层背离所述衬底一侧的有源层，所述N型半导体层背离所述衬底一侧划分两部分分别对应所述P型区和所述N型区，所述有源层对应所述P型区；
位于所述有源层背离所述衬底一侧的P型半导体层；
以及，位于所述P型半导体层背离所述衬底一侧的透明导电层，所述透明导电层具有一镂空区域，且所述P型电极透过所述镂空区域与所述P型半导体层接触。
9.根据权利要求1所述的具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，所述P型电极和所述N型电极均包括：
金属接触层；
以及，位于所述金属接触层背离所述发光外延层一侧的焊线层。
10.根据权利要求9所述的具有改善电极电迁移能力的发光二极管芯片，其特征在于，所述焊线层包括以下其中金属层的一种或多种：Ti层、Pt层、Ni层、Al层、Au层，且所述焊线层与外界环境接触层为Au层。
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