[实用新型]一种直链烷烃微阀结构

权利要求书

1.一种直链烷烃微阀结构，包括阀芯（4），由芯片盖板（1）和芯片底座（3）形成的阀体，所述芯片盖板（1）和芯片底座（3）之间形成微流管道（2），其特征在于，所述阀芯（4）封堵在所述微流管道（2）中，该阀芯（4）的上游侧和/或下游侧设有溢流池（8）；所述芯片盖板（1）和/或芯片底座（3）由透光材料制成，所述阀芯（4）为直链烷烃制成，且阀芯（4）的熔点均低于盖板（1）和底座（3）的熔点。

2.根据权利要求1所述的直链烷烃微阀结构，其特征在于，所述阀芯（4）的熔点为40℃-170℃；所述阀芯（4）的气化温度是80℃-300℃。

3.根据权利要求1所述的直链烷烃微阀结构，其特征在于，所述阀芯（4）的直径为0.3mm-1mm；所述微流管道（2）的内径为0.3mm-1mm。

4.根据权利要求1所述的直链烷烃微阀结构，其特征在于，所述阀芯（4）外表面设有深色涂层。

5.根据权利要求1所述的直链烷烃微阀结构，其特征在于，所述阀芯（4）、芯片盖板（1）和芯片底座（3）为一体化结构。

6.根据权利要求1-5中任一项所述的直链烷烃微阀结构，其特征在于，所述盖板（1）和/或底座（3）的外侧设置有激光光源（5），该激光光源（5）用于融化或气化所述阀芯（4）而使所述微阀打开。

7.根据权利要求6所述的直链烷烃微阀结构，其特征在于，所述盖板（1）的上方设有所述激光光源（5），且所述激光光源（5）发出的激光垂直于所述盖板（1）的上表面。

8.根据权利要求6所述的直链烷烃微阀结构，其特征在于，所述激光光源（5）为蓝紫激光光源。

9.根据权利要求8所述的直链烷烃微阀结构，其特征在于，所述激光的波长范围为400nm-980nm。

10.根据权利要求1-5中任一项所述的直链烷烃微阀结构，其特征在于，所述溢流池（8）的深度为相对微流管道（2）内壁面下凹0.5mm-1mm，该溢流池沿着微流管道（2）长度方向的尺寸为0.5mm-1mm。