[实用新型]一种铜铟镓硒太阳能电池组件

说明书

本实用新型涉及一种铜铟镓硒太阳能电池组件，包括：基板；背电极，设置在所述基板上；光吸收层，设置在所述背电极上；缓冲层：设置在所述光吸收层上；窗口层，设置在缓冲层上；其中，所述窗口层包括高阻层和透明导电层，所述透明导电层包括设置在高阻层上的石墨烯基复合薄膜。本实用新型实施例所涉及的铜铟镓硒太阳能电池组件，通过在CIGS薄膜太阳能制备过程中引入石墨烯基薄膜充当透明导电层，石墨烯基复合薄膜的透光率可高达94％，同时电阻率低于8Ω/sq，有效的提高CIGS薄膜太阳能电池组件透明导电层的透光性和导电性，提高了铜铟镓硒太阳能电池组件的转换效率。

技术领域

本实用新型涉及薄膜太阳能电池技术领域，特别地涉及一种铜铟镓硒太阳能电池组件。

背景技术

铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池组件，通常都是利用氧化锌铝(AZO) 充当透明导电层(TCO)，作为电池芯片的前电极，用来收集电池产生的光电流。AZO层在CIGS薄膜太阳能电池组件中的位置，如图1中的6所示。为了提高CIGS薄膜太阳能电池组件的转换效率，要求AZO层需同时具备较高的透光率和较低的电阻率。

AZO通常是利用真空磁控溅射镀膜设备进行制备，根据Al₂O₃的掺杂浓度以及磁控溅射制备工艺的不同，AZO层的透光率和电阻率也存在差异。目前的CIGS薄膜太阳能电池组件中，AZO的厚度约为800～1200nm。

AZO薄膜通常是利用真空磁控溅射镀膜设备进行制备，真空磁控溅射镀膜设备占地空间比较大，且设备价格较高，维护成本高。另一方面，受限于 AZO本身导电性和透光率的负相关关系，即AZO的厚度越大，导电性越好，但同时透过率越低，导致目前工艺条件下，AZO的厚度需要达到800～1200nm，才能兼顾较好的导电性和透过率。此外，AZO的薄膜性质依赖于AZO靶材的结构和组分，并且要求具有可靠、稳定的制备工艺，对制备工艺要求高，制备难度大。

实用新型内容

针对现有技术中存在的技术问题，本实用新型提出了一种铜铟镓硒太阳能电池组件，降低了透明导电层的厚度，和对制备工艺的要求。

本实用新型的一个方面提供了一种铜铟镓硒太阳能电池组件，包括：

基板；

背电极，设置在所述基板上；

光吸收层，设置在所述背电极上；

缓冲层：设置在所述光吸收层上；

窗口层，设置在所述缓冲层上；

其中，所述窗口层包括高阻层和透明导电层，所述透明导电层包括设置在高阻层上的石墨烯基复合薄膜。

其中，所述石墨烯基复合薄膜的厚度为0～200nm。

其中，所述石墨烯基复合薄膜包括：

石墨烯薄膜；以及

纳米线，设置在石墨烯薄膜上。

其中，包括：单层或少层石墨烯薄膜，所述石墨烯薄膜的厚度为0～1nm。

其中，所述透明导电层还包括AZO层，AZO层的厚度是20～400nm。

其中，所述纳米线形成网络结构。

其中，所述纳米线包括非金属纳米线。

其中，所述非金属纳米线包括碳纳米管。

其中，所述纳米线包括至少一种金属纳米线。

其中，还包括：封装所述背电极、光吸收层、缓冲层和窗口层的EVA层，以及设置在所述EVA层上的玻璃层。

其中，所述纳米线设置在接近高阻层的一面。