[实用新型]一种抗光衰机台温控系统有效
申请号: | 201820670895.3 | 申请日: | 2018-05-07 |
公开(公告)号: | CN208422867U | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 王振交;艾凡凡;韩培育 | 申请(专利权)人: | 苏州中世太新能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 南京科知维创知识产权代理有限责任公司 32270 | 代理人: | 梁珺 |
地址: | 215121 江苏省苏州市工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 温控系统 光衰 机台 加热模块 冷却模块 温度量测 电注入 加热板 气冷 非接触式温度传感器 压缩空气吹气 本实用新型 抽风管道 吹风冷却 多点测温 温度超过 系统提供 效率提升 自控开关 散热 加电 排出 腔内 热排 温控 加热 发热 冷却 测量 反馈 | ||
本实用新型提供一种抗光衰机台温控系统,包括电注入腔、加热模块、温度量测模块和冷却模块。加热模块,对产品进行加热,主要由产品加电自行发热以及产品上下方加热板组成,上下方加热板可以补偿上部和下部散热较快导致的温度下降;温度量测模块,采用非接触式温度传感器,可设置多点测温,测量范围更大,给系统提供更精准的温度控制和反馈;冷却模块,电注入腔采用压缩空气吹气的方式进行冷却,温度超过设定值自控开关开启吹气冷却,温度低于设定值,停止吹气冷却,腔内热量通过热排抽风管道排出。采用该温控系统,温控更精准,吹风冷却及时,可以使产品达到更好的效率提升和抗光衰效果。
技术领域
本实用新型涉及太阳能光伏设备制造领域,具体涉及一种抗光衰机台温控系统。
背景技术
光致衰减(Light Induced Degradation, LID)是指太阳电池及组件在光照过程中引起的功率衰减现象。一般认为,P型(掺硼)太阳电池光致衰减的主要原因,是在硅材料中必须硼和氧同时存在的情况下,光照或电流注入导致硼和氧形成硼氧(B-O)复合体。硼氧复合体是一种亚稳态缺陷 ,形成了复合中心,从而降低了少数载流子寿命。
PERC(Passivated Emitter Rear Contact 钝化发射极及背局域接触)技术是晶硅太阳电池近年来最具性价比的效率提升手段,PERC技术与常规电池生产线兼容性高,生产线改造投资低,效率提升效果明显。PERC技术的成功工业化应用,大大增强了P型晶硅的竞争力,推迟了N型晶硅的市场化进程。但PERC结构电池LID相比普通晶硅太阳电池偏高,机理暂不明确,可能与电池的介质钝化膜有关,也可能与PERC电池更高的开路电压有关。高效P型PERC电池光致衰减较高的问题,影响了PERC技术的竞争力。针对LID的成因,业界开发了一系列解决方案,以减轻光致衰减。
目前业界主要采用光照或电注入抗光衰炉来减轻光致衰减。现有的电注入式抗光衰炉要在一定温度下向电池注入电流,现有技术内部温控采用加热接触式测温方式以及PID反馈,所谓PID反馈即为比例(proportion)、积分(integration)、微分(differentiation)反馈,如果温度超过目标值太多会导致降温时间太慢等问题,我们结合气冷与非接触式的测温,能改善目前存在的问题。
实用新型内容
为了克服上述问题,本实用新型提供一种抗光衰机台温控系统。
本实用新型的技术方案是:提供一种抗光衰机台温控系统,其特征在于包括:
电注入腔,所述电注入腔具有顶壁、底壁和相对的第一侧壁和第二侧壁,所述两个侧壁设置于所述顶壁和所述底壁之间;
加热模块,所述加热模块包括上电极板、下电极板、上升降杆、下升降杆、上气缸和下气缸,所述上电极板和所述下电极板沿竖直方向相对地设置于所述电注入腔内,所述上升降杆穿设于所述顶壁,所述上升降杆的一端连接于所述上电极板,所述上升降杆的另一端连接于所述上气缸的输出端,所述下升降杆穿设于所述底壁,所述下升降杆的一端连接于所述下电极板,所述下升降杆的另一端连接于所述下气缸的输出端;
温度量测模块,所述温度量测模块包括多个非接触式温度传感器,所述非接触式温度传感器设置在所述电注入腔内;以及
冷却模块,所述冷却模块包括两个吹气孔和冷却风产生部,所述两个吹气孔沿水平方向分别设在所述第一侧壁和第二侧壁上,且所述两个吹气孔在竖直方向上对应于所述上电极板和所述下电极板之间的位置,所述冷却风产生部电性连接于所述温度量测模块,所述冷却风产生部用以根据所述温度量测模块检测到的温度值高低并通过所述两个吹气孔向所述电注入腔内吹入压缩空气。
优选地,所述上电极板和所述下电极板里均安装有加热丝。
优选地,所述上电极板和所述下电极板为两个通电后为产品注入电流的电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造