[实用新型]一种新型硅片氧化设备

权利要求书

1.一种新型硅片氧化设备，其特征在于包括：

可编程控制器，所述可编程控制器用以接收传感器发出的信号并根据所接收的信号发布相应指令；

氧气泄露传感器，所述氧气泄露传感器与所述可编程控制器电性相连，所述氧气泄露传感器用以当检测有氧气泄露时将氧气泄露信号传输给所述可编程控制器；

根据可编程控制器指令控制输入气体的通断的气体管道气动阀，所述气体管道气动阀与所述可编程控制器电性相连，所述气体管道气动阀用以当所述可编程控制器接收到所述氧气泄露传感器发出的氧气泄露信号后发出关闭氧气通道的指令时关闭氧气通道；

温度传感器，所述温度传感器与所述可编程控制器电性相连，所述温度传感器用以当探测到温度超过预设温度时传送温度信号给所述可编程控制器；

烟雾探测器，所述烟雾探测器与所述可编程控制器电性相连，所述烟雾探测器用以当探测到烟雾时传送信号给所述可编程控制器；以及

排废管道气动阀，所述排废管道气动阀与所述可编程控制器电性相连，所述排废管道气动阀用以当所述可编程控制器接收到所述温度传感器和所述烟雾探测器其中任意一个或两个同时发出的信号后发出关闭排废管道气动阀的指令时关闭排废管道气动阀。

2.如权利要求1所述的新型硅片氧化设备，其特征在于所述气体管道气动阀为多个。

3.如权利要求2所述的新型硅片氧化设备，其特征在于所述多个气体管道气动阀均安装在气体管道上，所述多个气体管道气动阀用以在所述氧气泄露传感器检测到氧气泄漏但不确定氧气泄露位置时同时关闭氧气通道。

4.如权利要求1所述的新型硅片氧化设备，其特征在于还包括主机柜，所述温度传感器与所述烟雾探测器均安装在所述主机柜的顶部。

5.如权利要求4所述的新型硅片氧化设备，其特征在于所述主机柜的正面上部具有显示框，所述可编程控制器安装在所述显示框的背面。

6.如权利要求4所述的新型硅片氧化设备，其特征在于所述主机柜还包括排废管道，所述排废管道位于所述主机柜的上方，所述排废管道的一端连接所述主机柜，所述排废管道的另一端连接所述排废管道气动阀。