[实用新型]一种双压电晶片有效
| 申请号： | 201820671570.7 | 申请日： | 2018-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN208157455U | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 彭靓;其他发明人请求不公开姓名 | 申请（专利权）人： | 重庆中镭科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L41/09 | 分类号： | H01L41/09;H01L41/047 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400800 重庆市綦江区万盛*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 内电极 双压电晶片 陶瓷基片 铜箔 外电极 电极引出端 后固定槽 绝缘性能 向内凹陷 中间层 夹持 | ||
【权利要求书】：
1.一种双压电晶片，包括陶瓷基片（1）、中间层（2）、外电极（3）、带缺口内电极（9）、铜箔（5），其特征是：带缺口内电极（9）在靠近铜箔（5）一侧有两个向内凹陷的内电极缺口（10）。
2.如权利要求1所述的一种双压电晶片，其特征是：内电极缺口（10）的长度L大于基座后固定槽（8）夹持的长度。
3.如权利要求1所述的一种双压电晶片，其特征是：中间层（2）的材料为单向玻璃纤维增强环氧树脂复合材料。
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