[实用新型]一种升压型DC-DC超低压冷启动电路

权利要求书

1.一种升压型DC-DC超低压冷启动电路，其特征在于：包括：冷启动电路(1)、片外电感L1、冷启动功率管Q1、BOOST功率管Q2、共用整流管Q3、PFM驱动电路(2)、片外电容C1和输出电压检测电路(3)，所述片外电感L1的一端与能量采集源VIN端相连，片外电感L1的另一端与冷启动功率管Q1的漏极、BOOST功率管Q2的漏极、共用整流管Q3的漏极相连，共用整流管Q3的源极与片外电容C1相连并作为输出VOUT，输出电压检测电路(3)以VOUT为电源并检测VOUT电压，输出电压检测电路(3)输出端与控制信号CTR端相连，冷启动电路(1)以VIN为电源、冷启动电路(1)的输入端与控制信号CTR端相连，冷启动电路(1)的输出端通过控制信号HCLK端与冷启动功率管Q1的栅极相连，PFM驱动电路(2)以VOUT为电源，PFM驱动电路(2)的输入端与控制信号CTR端相连，PFM驱动电路(2)的输出端SN与BOOST功率管Q2的栅极相连，PFM驱动电路(2)的输出端SP与共用整流管Q3的栅极相连。

2.根据权利要求1所述的一种升压型DC-DC超低压冷启动电路，其特征在于：所述冷启动电路(1)包括过压检测及启动模块(11)、超低压振荡器模块(12)和电荷泵模块(13)，所述过压检测及启动模块(11)通过超低压振荡器模块(12)与电荷泵模块(13)电连接。

3.根据权利要求2所述的一种升压型DC-DC超低压冷启动电路，其特征在于：所述过压检测及启动模块(11)包括：电阻R1、电容C2和电容C3，所述电阻R1的一端分别与PMOS管M1的源极、电容C3的一端、PMOS管M5的源极和栅极、PMOS管M8的源极、PMOS管M25的漏极、PMOS管M9的源极、PMOS管M11的源极、PMOS管M11的衬底、PMOS管M12的衬底、NMOS管M15的漏极、PMOS管M16的源极、PMOS管M16的衬底、PMOS管M17的衬底、NMOS管M20的漏极相连，PMOS管M25的源极与VIN电源端相连，PMOS管M25的栅极与控制信号CTR端相连，PMOS管M1的漏极与PMOS管M21的源极相连，PMOS管M21的漏极分别与PMOS管M21的栅极、PMOS管M1的栅极、PMOS管M2的源极相连，PMOS管M2的漏极分别与NMOS管M3的漏极、电容C2的一端、NMOS管M6的栅极、NMOS管M24的栅极相连，PMOS管M2的栅极与NMOS管M3的栅极相连，NMOS管M3的源极接地，电容C2的另一端接地，NMOS管M6的源极与NMOS管M24的漏极相连，NMOS管M6的衬底与NMOS管M24的源极相连后接地，NMOS管M4的栅极与控制信号CTR相连，NMOS管M4的源极接地，NMOS管M6的漏极分别与NMOS管M4的漏极、电阻R1的另一端、NMOS管M7的栅极、NMOS管M26的栅极相连，NMOS管M7的源极与NMOS管M26的漏极相连，NMOS管M7的衬底与NMOS管M26的源极相连后接地，NMOS管M7的漏极分别与PMOS管M11的栅极、PMOS管M12的栅极、NMOS管M13的栅极、NMOS管M14的栅极、电容C3的另一端、PMOS管M23的源极、PMOS管M8的源极、PMOS管M10的漏极相连，PMOS管M11的漏极与PMOS管M12的源极相连，NMOS管M13的源极分别与NMOS管M14的漏极、NMOS管M15的源极相连，NMOS管M13的衬底与NMOS管M14的衬底、NMOS管M14的源极、NMOS管M15的衬底相连后接地，PMOS管M23的栅极分别与PMOS管M22的栅极、PMOS管M5的栅极相连，PMOS管M23的源极与PMOS管M22的漏极相连，PMOS管M22的源极与PMOS管M5的漏极相连，PMOS管M10的源极分别与PMOS管M9的漏极和栅极相连，PMOS管M10的栅极分别与PMOS管M12的漏极、NMOS管M13的漏极、NMOS管M15的栅极、PMOS管M16的栅极、PMOS管M17的栅极、NMOS管M18的栅极、NMOS管M19的栅极相连，PMOS管M16的漏极与PMOS管M17的源极相连，PMOS管M17的漏极分别与NMOS管M18的漏极、NMOS管M20的栅极、控制信号EN端相连，NMOS管M18的衬底与NMOS管M19的衬底、NMOS管M19的源极相连后接地，NMOS管M18的源极分别与NMOS管M19的漏极、NMOS管M20的源极相连。