[实用新型]半导体结构和芯片有效
| 申请号： | 201820689017.6 | 申请日： | 2018-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN208400845U | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 胡建波;方绍明;刘义 | 申请（专利权）人： | 厦门元顺微电子技术有限公司;深圳元顺微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L23/62;H01L23/64 |
| 代理公司： | 厦门仕诚联合知识产权代理事务所(普通合伙) 35227 | 代理人： | 乐珠秀 |
| 地址： | 361008 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分压电阻 半导体结构 二极管 芯片 第一端 电连接 衬底 半导体 绝缘层 分压端 抗高压 配合 | ||
1.一种半导体结构，包括：
半导体衬底；
位于所述半导体衬底的二极管，所述二极管包括第一类型区和第二类型区；其特征在于，还包括：
分压电阻，所述分压电阻位于所述第一类型区上方，所述分压电阻与所述第一类型区之间具有绝缘层；所述分压电阻具有第一端、分压端和第二端，所述第一端电连接所述第一类型区，所述第二端电连接所述第二类型区。
2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一类型区的侧面被所述第二类型区包围。
3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述分压电阻为多重螺旋结构，所述螺旋结构的里端为所述分压电阻的所述第一端；所述螺旋结构的外端为所述分压电阻的所述第二端。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一类型区的俯视形状为圆形，所述第二类型区的俯视形状为圆环形。
5.如权利要求2或3所述的半导体结构，其特征在于，所述第一类型区为N型区，所述第二类型区为P型区。
6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述N型区包括第一N区和包围所述第一N区侧面的第二N区。
7.如权利要求6所述的半导体结构，其特征在于，所述N型区还包括第三N区，所述第三N区位于所述第一N区和至少部分所述第二N区的下方。
8.如权利要求7所述的半导体结构，其特征在于，所述P型区包括第一P区和位于所述第一P区下方的第二P区。
9.一种芯片，其特征在于，所述芯片中具有权利要求1至8任一项所述的半导体结构。
10.如权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述芯片为电源管理芯片，所述半导体结构的所述分压端电连接过压保护比较器。
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