[实用新型]半导体封装和CISCSP

说明书

本实用新型涉及半导体封装和CISCSP封装。半导体封装的实施方式可包括：半导体管芯，所述半导体管芯包括第一介电层和多个焊盘，所述第一介电层具有穿过其中暴露所述多个焊盘中的每一个的至少一部分的多个开口。耦接到所述第一介电层的第二介电层的厚度可大于或等于所述第一介电层的厚度，并且所述第二介电层可具有与所述第一介电层中的所述多个开口相对应的多个开口。多个凸块可与所述多个焊盘耦接到达所述第一介电层和所述第二介电层中的所述多个开口中。所述半导体封装还可包括凸块密封材料，所述凸块密封材料沿所述多个凸块的侧面从所述多个焊盘的材料向上延伸。所述封装可与母板耦接而不使用底部填充材料。

相关专利申请的交叉引用

本文件要求授予Shou-Chian Hsu的名称为“CISCSP Package and RelatedMethods”(CISCSP封装及相关方法)的美国临时专利申请62/527,787的提交日期的权益，该申请提交于2017年6月30日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。

技术领域

本文的各方面整体涉及图像传感器，更具体地涉及半导体封装和CISCSP 封装。

背景技术

一般来讲，为了将半导体封装耦接到母板，通常使用底部填充材料来填充母板与封装上的凸块之间的空间。在一些系统中，在半导体封装与母板耦接以及施加和固化底部填充材料之前或之后，最初在半导体封装上的凸块周围分布聚合物或其他材料。底部填充材料的使用是为了在封装的热循环期间防止与母板连接的点附近的凸块的破裂或再分布层(RDL)电路的破裂。

实用新型内容

半导体封装的实施方式可包括：半导体管芯，该半导体管芯包括第一介电层和多个焊盘，该第一介电层具有穿过其中暴露所述多个焊盘中的每一个的至少一部分的多个开口。半导体封装还可包括耦接到第一介电层的第二介电层。第二介电层可具有与第一介电层中的所述多个开口相对应的多个开口。第二介电层的所述多个开口的宽度可大于第一介电层的所述多个开口的宽度。半导体封装还可包括多个凸块，所述多个凸块与所述多个焊盘耦接到达第一介电层的所述多个开口中以及第二介电层的所述多个开口中。半导体封装还可包括凸块密封材料，该凸块密封材料设置在所述多个凸块周围并且沿所述多个凸块的侧面从所述多个焊盘的材料向上延伸。该封装可被配置为与母板耦接而不在所述多个凸块与母板之间使用底部填充材料。

半导体封装的实施方式可包括以下各项中的一者、全部或任何一者：

第二介电层的厚度可大于或等于第一介电层的厚度。

第一介电层的材料可为与第二介电层的材料相同和不同中的一者。

第二介电层的厚度可被配置为将焊料密封材料的密封高度提升到所需高度。

第二介电层的厚度可大于30微米。

半导体管芯可为图像传感器，其包括耦接到半导体管芯的多个微透镜。围坝可耦接在半导体管芯的周边周围。玻璃层可耦接到半导体管芯上方的围坝。

第一介电层和第二介电层可各自使用喷涂、旋涂和层合中的一者来施加。

互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器芯片级封装(CISCSP)的实施方式可包括：半导体管芯，该半导体管芯包括多个焊盘以及具有穿过其中的多个开口的第一焊料掩模限定(SMD)层。穿过第一焊料掩模的开口可暴露所述多个焊盘中的每一个的至少一部分。该封装还可包括耦接到第一SMD层的第二非焊料掩模限定(NSMD)层。第二NSMD层可具有与第一SMD层中的所述多个开口相对应的多个开口。第二NSMD层的所述多个开口的宽度可大于第一SMD 层的所述多个开口的宽度。该封装可具有多个凸块，所述多个凸块与所述多个焊盘耦接到达第一SMD层的所述多个开口中以及第二NSMD层的所述多个开口中。该封装可具有凸块密封材料，该凸块密封材料设置在所述多个凸块周围并且沿所述多个凸块的侧面从所述多个焊盘的材料向上延伸。