[实用新型]磁场传感器

说明书

本实用新型提供一种磁场传感器，其包括：至少一个磁场传感单元，其具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴，所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条；至少一个设置‑重置导线组，所述设置‑重置导线组位于对应的磁电阻条的上方或下方，所述设置‑重置导线组包括沿对应的所述磁电阻条的纵长延伸方向平行排布的多根导线，且靠近对应的所述磁电阻条边缘区域的所述导线的宽度小于靠近对应的磁电阻条的中间区域的所述导线的宽度。与现有技术相比，本实用新型的磁场传感器，其设置‑重置线圈在通入电流后，可以在磁电阻条边缘区域产生强度很大的磁场，在磁电阻条中间区域产生强度适中的磁场，从而有效地设置‑重置磁电阻条的磁矩。

【技术领域】

本实用新型涉及磁场传感器技术领域，特别涉及一种具有改进的设置-重置线圈的磁场传感器。

【背景技术】

目前基于磁电阻效应的磁场传感器已经应用非常普通，比如各向异性磁电阻(AMR)磁场传感器、巨磁电阻(GMR)磁场传感器及隧穿磁电阻(TMR)磁场传感器。一般来说，基于磁电阻效应的磁场传感器在磁场方向和大小改变时，器件电阻会随之改变。磁场传感器的结构通常包括一层软磁材料，例如铁、钴，镍，钴铁硼合金或镍铁合金(permalloy)等。在磁场方向和大小改变时，软磁材料层的磁化方向随之改变，从而引起电阻的变化。

磁场传感器受到大磁场干扰之后，零点和灵敏度都会发生变化。为了初始化零点和灵敏度，需要施加磁场来设置-重置磁电阻条的磁矩。由于磁电阻条边缘区域退磁场强度很大，中间区域退磁场强度适中，如何产生边缘区域磁场强度很大、中间区域磁场强度适中的磁场，从而有效地设置-重置磁电阻条的磁矩，一直是个难点。

因此需要一种改进的磁场传感器以克服上述问题。

【实用新型内容】

本实用新型的目的之一在于提供一种磁场传感器，其设置-重置线圈(或设置-重置导线组)在通入电流后，可以在磁电阻条边缘区域产生强度很大的磁场，在磁电阻条中间区域产生强度适中的磁场，从而有效地设置-重置磁电阻条的磁矩。

为了解决上述问题，本实用新型提供一种磁场传感器，其包括：至少一个磁场传感单元，其具有磁易轴和与所述磁易轴垂直的磁敏感轴，所述磁场传感单元包括沿其磁易轴方向延伸的磁电阻条；至少一个设置-重置导线组，所述设置-重置导线组位于对应的磁电阻条的上方或下方，所述设置-重置导线组包括沿对应的所述磁电阻条的纵长延伸方向平行排布的多根导线，且靠近对应的所述磁电阻条边缘区域的所述导线的宽度小于靠近对应的磁电阻条的中间区域的所述导线的宽度。

进一步的，当向所述设置-重置导线组通入电流时，其在对应的所述磁电阻条的边缘区域产生的磁场强度大于其在对应的所述磁电阻条的中间区域产生的磁场强度。

进一步的，所述多根导线上通过的电流的方向相同。

进一步的，所述多根导线上通过的电流的大小相同。

进一步的，所述磁场传感单元为各向异性磁电阻传感单元、巨磁电阻传感单元或隧穿磁电阻传感单元。

进一步的，所述磁场传感单元还包括形成于所述磁电阻条上的并与所述磁电阻条成预定角度的相互平行的若干个导线条。

进一步的，所述设置-重置导线组包括沿磁电阻条纵长延伸方向依次平行排布的第一导线、第二导线、第三导线和第四导线，其中，第一导线和第四导线宽度相同，两者位于磁电阻条的边缘区域；第二导线和第三导线宽度相同，两者位于磁电阻条的中间区域，且第一导线和第四导线的导线宽度小于第二导线和第三导线的导线宽度。

进一步的，所述磁场传感单元为四个，所述设置-重置导线组为四组，四组设置-重置导线组的导线相连构成多匝设置-重置线圈，该设置-重置线圈具有一个输入端和一个输出端，在设置-重置线圈的输入端和输出端施加预定电压，第二导线的宽度是第一导线的宽度的1.5倍或以上。