[实用新型]一种同侧结构的深紫外LED外延结构

权利要求书

1.一种同侧结构的深紫外LED外延结构，其特征在于，包括蓝宝石衬底、设置在所述蓝宝石衬底上表面的LED外延主体和设置在所述蓝宝石衬底下表面的静电保护二极管主体，所述静电保护二极管主体与所述LED外延主体反向并联，所述LED外延主体的第一P型电极、第一N型电极以及所述静电保护二极管主体的第二P型电极、第二N型电极设置在所在层的同侧，所述第一P型电极与所述第二N型电极连接，所述第一N型电极与所述静电保护二极管主体的第二P型电极连接，还包括设置在所述LED外延主体和所述静电保护二极管主体的台面、侧壁的钝化层。

2.如权利要求1所述同侧结构的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述蓝宝石衬底上设置有与所述LED外延主体相邻的通孔，所述第二P型电极设置在所述蓝宝石衬底的上表面，通过设置在所述通孔内的填充金属接触层或金属合金接触层与所述静电保护二极管主体的P型SI衬底掺杂层连接，在所述通孔的侧壁与所述填充金属接触层或金属合金接触层之间还设置有绝缘层。

3.如权利要求2所述同侧结构的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述绝缘层的厚度为10nm～20nm。

4.如权利要求3所述同侧结构的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述静电保护二极管主体包括从下到上依次设置的Si衬底层、N型欧姆接触层、N型衬底掺杂层和所述P型Si衬底掺杂层，所述静电保护二极管主体的P型Si衬底掺杂层设置在所述蓝宝石衬底下表面，所述第二N型电极设置在所述N型欧姆接触层一端刻蚀形成的台面主体上。

5.如权利要求4所述同侧结构的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述静电保护二极管主体通过金属胶黏片与所述蓝宝石衬底连接。

6.如权利要求5所述同侧结构的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述金属胶黏的厚度为1.0μm～2.0μm。

7.如权利要求6所述同侧结构的深紫外LED外延结构，其特征在于，所述LED外延主体中包括依次设置在所述蓝宝石衬底上表面的BN缓冲层、AlN层、超晶格主体层、n型AlGaN层、电流扩展层、多量子阱有源区、电子阻挡层、p型AlGaN层、p型GaN层和导电薄膜层，所述第一P型电极设置在所述导电薄膜层上，所述第一N型电极设置在所述n型AlGaN层的一端刻蚀形成的台面主体上。