[实用新型]基于可控硅的温度控制器

权利要求书

1.一种基于可控硅的温度控制器，其包括温度检测电路、方波发生器电路、功率放大电路；其特征是，所述的温度检测电路包括正温度系数的热敏电阻RT、比较器A1、三极管T1、三极管T2，热敏电阻RT的一端接比较器A1的同相输入端，热敏电阻RT的另一端接地，比较器A1的同相输入端通过可变电阻R1接稳压电源V+，比较器A1的反相输入端通过电阻R2接稳压电源V+，比较器A1的反相输入端通过电阻R3接地；比较器A1的输出端通过电阻R5接三极管T1的基极，三极管T1的基极通过电阻R4接稳压电源V+，三极管T1的发射极接稳压电源V+，三极管T1的集电极通过电阻R8接电解电容C1的正极，电解电容C1的负极接地；比较器A1的输出端通过电阻R6接三极管T2的基极，三极管T2的基极通过电阻R7接地，三极管T2的发射极接地，三极管T2的集电极接三极管T1的集电极；稳压电源V+接比较器A1的一电源输入端，稳压电源V-接比较器A1的另一电源输入端；

所述的方波发生器电路包括运算放大器A2、三极管T3、时基集成电路IC1，运算放大器A2的同相输入端接电解电容C1的正极，运算放大器A2的反相输入端通过电阻R9接地，运算放大器A2的反相输入端与输出端之间接有电阻R10；

三极管T3的基极接运算放大器A2的输出端，三极管T3的发射极通过电阻R11接稳压电源V+，三极管T3的集电极接电容C2的一端，电容C2的另一端接地，电容C2的一端接时基集成电路IC1的引脚2和引脚6，时基集成电路IC1的引脚7接三极管T3的发射极，三极管T4的基极接运算放大器A2的输出端，三极管T4的集电极接三极管T3的集电极，三极管T4的发射极通过电阻R12接时基集成电路IC1的引脚7，时基集成电路IC1的引脚3输出方波信号；时基集成电路IC1的引脚4和引脚8接稳压电源V+，时基集成电路IC1的引脚1接地，时基集成电路IC1的引脚5通过电容C3接地；

所述的功率放大电路包括光耦GE1、双向可控硅KG1，时基集成电路IC1的引脚3接光耦GE1的发光二极管的阳极，光耦GE1的发光二极管的阴极通过电阻R13接地，光耦GE1的光电触发二极管一端接双向可控硅的控制极，光电触发二极管另一端通过电阻R14接双向可控硅的第一电极，双向可控硅的第一电极接电热器RL的一端，电热器RL的另一端接市电的相线a，双向可控硅的第二电极接市电的零线0。

2.根据权利要求1所述的基于可控硅的温度控制器，其特征是，方波信号的振荡周期为1秒。

3.根据权利要求1所述的基于可控硅的温度控制器，其特征是，在方波发生器电路中，三极管T3的集电极与电容C2之间接有电子开关K1，电子开关K1的控制极接同步脉冲ut；方波信号的振荡周期为同步脉冲ut周期的100倍；

同步脉冲ut的形成电路为，变压器B1的初级线圈接市电，变压器B1的次级线圈一端接二极管D1的阳极，二极管D1的阴极通过电阻R15接三极管T5的基极，三极管T5的集电极通过电阻R17接稳压电源V+，三极管T5的发射极接地，变压器B1的次级线圈另一端接二极管D4的阳极，二极管D4的阴极通过电阻R16接三极管T5的基极，变压器B1次级线圈的中心抽头接地，三极管T5的集电极输出同步脉冲ut，三极管T5的集电极接电子开关K1的控制极。