[实用新型]一种过温保护电路

权利要求书

1.一种过温保护电路，包括比较器、第一NMOS管(MN1)、第二NMOS管(MN2)、第一PMOS管(MP1)、第二PMOS管(MP2)、第三PMOS管(MP3)、第四PMOS管(MP4)、第五PMOS管(MP5)、第六PMOS管(MP6)、第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第五电阻(R5)、第一二极管(D1)、第二二极管(D2)、第三二极管(D3)、第一开关(S1)、第二开关(S2)、第三开关(S3)；

所述比较器其特征在于：包括正输入端，负输入端，输出端；

第一NMOS管的源极与第一二极管的正极相连接，第一二极管的负极与地相连接，所述第一NMOS管的栅极和漏极短接，并与第二NMOS管的栅极、第一PMOS管的漏极相连接，第二NMOS管的源极与第五电阻的一端相连接，第五电阻的另一端与第二二极管的正极相连接，第二二极管的负极与地相连接，第二NMOS管的漏极与第二PMOS管的栅极、源极相连接，第二NMOS管的漏极还与第一PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的栅极相连接，第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的源极均与电源电压相连接，第三PMOS管的漏极与第一电阻的一端相连接，第三PMOS管的漏极还与比较器的负输入端相连接，第一电阻的另一端与第三二极管的正极相连接，第三二极管的负极与地相连接，第四PMOS管的漏极与第二电阻的一端相连接，第五PMOS管的漏极与第三电阻的一端，第六PMOS管的漏极与第四电阻的一端相连接。

2.根据权利要求1所述过温保护电路，其特征在于：所述第一开关、第二开关、第三开关均为CMOS开关，第一开关的一端第四PMOS管的漏极相连接、第二开关的一端与第五PMOS管的漏极相连接、第三开关的一端与第六PMOS 管的漏极相连接，第一开关、第二开关、第三开关的另一端均与比较器的正输入端相连接。

3.根据权利要求1所述过温保护电路，其特征在于：所述比较器为迟滞比较器，输出端输出过温保护信号。

4.根据权利要求1所述过温保护电路，其特征在于：通过设置第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管的尺寸以及第一开关、第二开关、第三开关的开关状态来选择过温保护点。