[实用新型]一种基于GeTe的双功能器件有效
| 申请号： | 201820727748.5 | 申请日： | 2018-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN208078025U | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王浩;何玉立;马国坤;刘春雷;陈傲;陈钦 | 申请（专利权）人： | 湖北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 | 代理人： | 杨采良 |
| 地址： | 430062 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜介质层 本实用新型 双功能器件 底电极 互补型 阻变存储器 常规记忆 存储元件 功能可用 三层结构 十字交叉 有效解决 阻态切换 顶电极 串扰 薄膜 转换 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于GeTe的双功能器件，其特征在于：所述器件包括三层结构：顶电极、GeTe薄膜介质层和底电极。
2.根据权利要求1所述的基于GeTe的双功能器件，其特征在于：所述顶电极由W制成。
3.根据权利要求2所述的基于GeTe的双功能器件，其特征在于：所述顶电极的厚度为50～500nm。
4.根据权利要求3所述的基于GeTe的双功能器件，其特征在于：所述顶电极形状为圆形或者矩形，直径或边长为10nm～50μm。
5.根据权利要求1所述的基于GeTe的双功能器件，其特征在于：所述GeTe薄膜介质层厚度为5～200nm。
6.根据权利要求5所述的基于GeTe的双功能器件，其特征在于：所述GeTe薄膜介质层形状为圆形或者矩形，直径或边长为10nm～50μm。
7.根据权利要求1所述的基于GeTe的双功能器件，其特征在于：所述底电极由FTO、ITO、ZTO、TaN、或TiN制成。
8.根据权利要求7所述的基于GeTe的双功能器件，其特征在于：所述底电极的厚度为50～500nm。
9.根据权利要求8所述的基于GeTe的双功能器件，其特征在于：所述底电极形状为圆形或者矩形，直径或边长为10nm～50μm。
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