[实用新型]一种场效应晶体管的驱动电路

权利要求书

1.一种场效应晶体管的驱动电路，其特征在于：

所述驱动电路包括电源、开关电路、第一电容C1和MOS管；

所述开关电路包括控制端、第一输出端和第二输出端；

所述第一输出端和第二输出端分别连接于所述第一电容C1的两端，所述第一电容C1的一端还串联有第一电阻R1和第一保护二极管D1；

所述第一电容C1的两端连接于所述MOS管，用于控制所述MOS管的通断；

所述控制端可控制所述第一输出端和第二输出端之间的阻抗趋于无穷大或零；

所述第一输出端和第二输出端之间的阻抗趋于无穷大时，所述电源经所述第一电阻R1和第一保护二极管D1向所述第一电容C1充电，使得所述MOS管导通；

所述第一输出端和第二输出端之间的阻抗趋于零时，所述第一电容C1经所述开关电路放电，使得所述MOS管关断。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述MOS管为PMOS管，所述第一电容C1的一端连接于所述电源的正极和所述PMOS管的源极；

所述第一电容C1的另一端连接于所述PMOS管的栅极，所述第一电容C1的另一端还连接于串联的第一电阻R1和第一保护二极管D1，所述第一保护二极管的负极连接于所述电源的负极。

3.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述开关电路包括第一三极管Q1、第二保护二极管D2、第二三极管Q2、第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4；

所述第一三级管Q1的发射极连接于所述电源的负极，所述第一三极管Q1的集电极连接于所述第二保护二极管D2的负极，所述第一三极管Q1的基极用于接收控制信号控制所述第一三极管Q1的通断；

所述第一保护二极管D2的正极连接于所述第四电阻R4的一端，所述第四电阻R4的另一端连接于所述第三电阻R3的一端和所述第二三极管Q2的基极，所述第三电阻R3的另一端和所述第二三极管Q2的发射极均连接于所述电源的正极；

所述第二三极管Q2的集电极连接于所述第二电阻R2的一端，所述第二电阻R2的另一端连接于所述PMOS管的栅极；

所述第一三极管Q1为NPN型三极管，所述第二三极管Q2为PNP型三极管。

4.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述MOS管为NMOS管，所述第一电容C1的一端连接于所述电源的负极和所述PMOS管的源极；

所述第一电容C1的另一端连接于所述PMOS管的栅极，所述第一电容C1的另一端还连接于串联的第一电阻R1和第一保护二极管D1，所述第一保护二极管的正极连接于所述电源的正极。

5.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，所述开关电路包括第一三极管Q1、第二三极管Q2、第二电阻R2和第三电阻R3；

所述第一三级管Q1的发射极和第二三极管Q2的发射极均连接于所述电源的负极，所述第一三极管Q1的集电极连接于所述第二三极管Q2的基极，所述第一三极管Q1的集电极还连接于所述第三电阻R3的一端，所述第三电阻R3的另一端连接于所述电源的正极；

所述第二三极管Q2的集电极连接于所述第二电阻R2的一端，所第二电阻R2的另一端连接于所述NMOS管的栅极；

所述第一三极管Q1的基极用于接收控制信号控制所述第一三极管Q1的通断；

所述第一三极管Q1和第二三极管Q2均为NPN型三极管。