[实用新型]半导体处理系统

说明书

公开了一种半导体处理系统。示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与远程等离子单元耦接的适配器。适配器可以包括第一端和与第一端相对的第二端。适配器可以在第一端处限定通向中心通道的开口，并且中心通道可以由第一横截表面面积来表征。适配器可以在第二端处限定从第二通道离开的出口，并且适配器可以在适配器内、在第一端与第二端之间限定中心通道与第二通道之间的过渡部。适配器可以限定过渡部与适配器的第二端之间的第三通道，并且第三通道可与中心通道和第二通道流体隔离。

技术领域

本技术涉及半导体系统、工艺和设备。更具体地，本技术涉及用于在系统和腔室内递送前驱物的系统和方法。

背景技术

集成电路通过在基板表面上产生复杂地图案化的材料层的工艺制成。在基板上产生图案化的材料要求用于暴露材料的去除的受控方法。化学蚀刻用于多种目的，包括将光刻胶中的图案转移到下方层、将层薄化，或将已存在于表面上的特征的侧向尺寸薄化。通常，期望具有比蚀刻另一材料更快地蚀刻一种材料以促进例如图案转移工艺或个别材料移除的蚀刻工艺。这种蚀刻工艺被称为对第一材料有选择性。由于材料、电路和工艺的多样性，蚀刻工艺已发展成具有面向于多种材料的可选择性。

蚀刻工艺可基于工艺中使用的材料而称为湿法蚀刻或干法蚀刻。湿法HF蚀刻优选地移除了在其他电介质和材料上方的氧化硅。然而，湿法工艺可能难以穿透一些受限沟槽并有时还可能使剩余的材料变形。干法蚀刻工艺可以穿透到复杂的特征和沟槽中，但是可能无法提供可接受的顶部-底部轮廓。随着在下一代器件中器件大小不断缩小，系统将前驱物递送到腔室中并通过腔室的方式可能会造成越来越大的影响。由于处理条件的均匀性的重要性不断增加，腔室设计和系统设置对生产的器件的质量有重要作用。

因此，需要可用于产生高质量器件和结构的改善的系统和方法。这些和其他需要通过本技术来解决。

实用新型内容

示例性半导体处理系统可以包括处理腔室，并且可以包括与处理腔室耦接的远程等离子体单元。示例性系统还可以包括与远程等离子单元耦接的适配器。适配器可以包括第一端和与第一端相对的第二端。适配器可以在第一端处限定通向中心通道的开口，并且中心通道可以由第一横截表面面积来表征。适配器可以在第二端处限定从第二通道离开的出口，并且适配器可以在适配器内、在第一端与第二端之间限定中心通道与第二通道之间的过渡部。适配器可以限定过渡部与适配器的第二端之间的第三通道，并且第三通道可在适配器内与中心通道和第二通道流体隔离。

在一些实施方式中，第二通道可以由小于第一横截面积的第二横截面积来表征。第二通道可以包括从中心通道延伸的多个通道。适配器可进一步限定提供用来进出第三通道的端口。系统可进一步包括耦接在适配器与处理腔室之间的隔离器。隔离器可以包括围绕隔离器通道的环形构件，并且隔离器通道可与第二通道和第三通道流体耦接。在一些方式中，隔离器可以包括陶瓷材料。系统还可包括耦接在隔离器与处理腔室之间的混合歧管。混合歧管可以由具有的直径等于隔离器通道的直径的入口来表征。在实施方式中，混合歧管的入口可过渡到混合歧管的锥形区段。混合歧管的锥形区段可过渡到混合歧管的扩口区段，扩口区段延伸到混合歧管的出口。

本技术还包括半导体处理系统。系统可以包括远程等离子单元，并且还可包括处理腔室。处理腔室可以包括气体箱，气体箱限定中心通道。处理腔室可以包括阻挡板，阻挡板与气体箱耦接，并且阻挡板可以限定穿过阻挡板的多个孔。处理腔室可以包括面板，面板在面板的第一表面处与气体箱耦接。处理腔室还可包括离子抑制元件，离子抑制元件在面板的与面板的第一表面相对的第二表面处与面板耦接。