[实用新型]一种新型割圆钻头有效
申请号: | 201820733990.3 | 申请日: | 2018-05-16 |
公开(公告)号: | CN208290227U | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 岳辰云 | 申请(专利权)人: | 扬州四菱电子有限公司 |
主分类号: | B28D5/02 | 分类号: | B28D5/02;B23B51/05 |
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地址: | 225000*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 钻头主体 本实用新型 切割 连接头 钻头 割圆 刀刃 钻床 硅片利用率 内部中空 生产效率 钻削设备 金刚砂 省时 左端 省力 生产 | ||
本实用新型涉及钻削设备技术领域,特别是指一种新型割圆钻头,包括切割主体、钻头主体、连接头,所述钻头主体右侧设有连接头,所述连接头与钻床相连,所述钻头主体左侧设有切割主体,所述切割主体为钻头主体的内部中空部分,所述切割主体的最左端设有刀刃,所述刀刃上设有一斜面,所述斜面往右直径越来越小,所述刀刃及斜面上镀有一层金刚砂。与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型公开了一种新型割圆钻头,生产效率高,省时省力,生产出的硅片利用率高。
技术领域
本实用新型涉及钻削设备技术领域,特别是指一种新型割圆钻头。
背景技术
在电子元器件制造领域,硅片是一种被广泛使用的半导体材料,高压二极管就是用半导体材料三英寸硅片为主要原料生产的,在硅片扩散镀镍后,要用割圆钻头将硅片切割成所需要的芯片,传统的工艺方法是通过相应规格的割圆钻头将硅片切割成相应直径的芯片,再通过磨角的方法磨去芯片边缘的机械损伤层,并在芯片边缘形成一个斜面,减小表面电场。
该方法的缺点有两个:一是生产效率不高,从硅片到芯片所需要的加工时间较长;二是生产成本较高,多一道工序无形中增加了材料和人工成本,同时在磨角过程中,也会给芯片带来一定的损伤,降低了硅片的利用率。
实用新型内容
本实用新型公开了一种新型割圆钻头,生产效率高,省时省力,生产出的硅片利用率高。
本实用新型是通过以下技术方案实现的:
一种新型割圆钻头,包括切割主体、钻头主体、连接头,所述钻头主体右侧设有连接头,所述连接头与钻床相连,所述钻头主体左侧设有切割主体,所述切割主体为钻头主体的内部中空部分,所述切割主体的最左端设有刀刃,所述刀刃上设有一斜面,所述斜面往右直径越来越小,所述刀刃及斜面上镀有一层金刚砂。
优选地,所述连接头上采用螺纹结构。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型通过钻头割出的硅片一次成型,节省了生产时间,提高了生产效益;
2、本实用新型减少了加工工序,节省了材料和人工成本,降低了生产成本;
3、本实用新型降低了芯片在生产过程中的损伤,提高了材料的利用率。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图;
图2是本实用新型切割主体的结构示意图;
图3是本实用新型的尺寸图。
图中:1、刀刃;2、切割主体;3、钻头主体;4、连接头;5、斜面;6、金刚砂。
具体实施方式
下面结合附图对本实用新型进一步说明:
一种新型割圆钻头,包括切割主体2、钻头主体3、连接头4,所述钻头主体3右侧设有连接头4,所述连接头4与钻床相连,所述钻头主体3左侧设有切割主体2,所述切割主体2为钻头主体3的内部中空部分,所述切割主体2的最左端设有刀刃1,所述刀刃1上设有一斜面5,所述斜面5往右直径越来越小,所述刀刃1及斜面5上镀有一层金刚砂6。
所述连接头4上采用螺纹结构。
所述斜面5的角度为β,β值的大小根据钻头的直径D`来确定。
与传统钻头相比,本实用新型的新型割圆钻头在所述刀刃1口的位置增加一段斜面5,在所述刀刃1和斜面5上镀上一层金刚砂6,在对硅片割圆的过程中,通过镀金刚砂5的斜面5和刀刃1的作用,可以实现“以割带磨”的功能,经过整个割圆过程将芯片和台面一次成型,不需要再经过后续的磨角工序对台面处理。
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