[实用新型]一种用于宇航大功率微波器件绝缘介质支撑的迷宫式结构有效

专利信息
申请号: 201820735997.9 申请日: 2018-05-17
公开(公告)号: CN208445013U 公开(公告)日: 2019-01-29
发明(设计)人: 操基德;陈强;杨倩;刘六五;孙绍强;魏彦江 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第四十研究所
主分类号: H01R13/502 分类号: H01R13/502;H01R13/533;H01R24/40;H01P1/10;H01P1/20;H01P1/36
代理公司: 蚌埠鼎力专利商标事务所有限公司 34102 代理人: 王琪
地址: 233010 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 绝缘介质支撑 中心导体 大功率微波器件 宇航 迷宫式结构 外部导体 环形槽 微放电 凸台 二次发射电子 本实用新型 大功率微波 空气间隙 热胀冷缩 真空环境 支撑固定 自由路径 导体 低气压 过盈量 配合面 三段式 放电 沉孔 两段 切割 装配 传输 阻碍 配合 保证
【权利要求书】:

1.一种用于宇航大功率微波器件绝缘介质支撑的迷宫式结构,其特征在于:它包括首端绝缘介质支撑、尾端绝缘介质支撑,两者采用端面配合连接,设置于中心导体和外导体之间;所述首端绝缘介质支撑和尾端绝缘介质支撑的配合面设计成凸台与环形槽咬合的结构形式,中心导体位于首端绝缘介质支撑和尾端绝缘介质支撑的中心部位,外导体位于首端绝缘介质支撑和尾端绝缘介质支撑的外围。

2.根据权利要求1所述的一种用于宇航大功率微波器件绝缘介质支撑的迷宫式结构,其特征在于:所述首端绝缘介质支撑与尾端绝缘介质支撑配合面之间的装配过盈量范围为0.05mm~0.1mm。

3.一种用于宇航大功率微波器件绝缘介质支撑的迷宫式结构,其特征在于:它包括同轴端绝缘介质支撑、中间绝缘介质支撑、腔体内绝缘介质支撑,三者采用端面配合连接,设置于同轴外导体与同轴中心导体之间、腔体外导体与微带线中心导体之间;所述同轴端绝缘介质支撑与中间绝缘介质支撑的配合面及中间绝缘介质支撑与腔体内绝缘介质支撑的配合面设计成凸台与沉孔咬合的结构形式,同轴中心导体位于同轴端绝缘介质支撑和中间绝缘介质支撑的中心部位,微带线中心导体位于中间绝缘介质支撑和腔体内绝缘介质支撑的中心部位,同轴外导体位于同轴端绝缘介质支撑外围,腔体外导体位于中间绝缘介质支撑和尾端绝缘介质支撑的外围。

4.根据权利要求3所述的一种用于宇航大功率微波器件绝缘介质支撑的迷宫式结构,其特征在于:所述同轴端绝缘介质支撑、中间绝缘介质支撑和腔体内绝缘介质支撑配合面之间的装配过盈量范围为0.05mm~0.1mm。

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