[实用新型]基板支撑组件

说明书

公开了基板支撑组件。示例性支撑组件可包括顶部圆盘和与顶部圆盘耦合的背托板。支撑组件可包括与背托板耦合的冷却板。支撑组件可包括耦合在冷却板和背托板之间的加热器。支撑组件还可包括围绕背托板的外部与背托板耦合的背板。背板可至少部分地限定一容积，并且加热器和冷却板可被容纳在该容积内。

技术领域

本技术涉及用于半导体制造的部件和装置。更具体地，本技术涉及基板支撑组件和其他半导体处理设备。

背景技术

通过在基板表面上产生复杂图案化材料层的工艺而使集成电路成为可能。在基板上产生图案化材料需要用于形成和去除材料的受控的方法。这些工艺发生时所处的温度可直接影响最终产品。在处理期间，常常利用支撑基板的组件来控制和维持基板温度。可横跨支撑组件的表面或穿过支撑组件的深度而发生的温度波动可能创建横跨基板的温度区或区域。具有不同的温度的这些区域可能影响在基板上执行的或对基板执行的工艺，这往往可能降低沿着基板沉积的膜或蚀刻的结构的均匀性。取决于沿着基板的表面的变化的程度，器件失效可能因由应用产生的不一致性而发生。

另外，容纳在半导体处理腔室内的结构可受在腔室内执行的工艺影响。例如，在腔室内沉积的材料可沉积在腔室内的设备上和在基板本身上。材料还可沉积在支撑基座上，这可能引起基板对准的问题以及在正被处理的基板上再沉积的问题。

因此，需要改进的可用于生产高质量器件和结构的系统和方法。本技术解决了这些和其他需要。

实用新型内容

示例性支撑组件可包括顶部圆盘和与顶部圆盘耦合的背托板。支撑组件可包括与背托板耦合的冷却板。支撑组件可包括耦合在冷却板和背托板之间的加热器。支撑组件还可包括围绕背托板的外部与背托板耦合的背板。背板可至少部分地限定一容积，并且加热器和冷却板可被容纳在该容积内。

在一些实施例中，顶部圆盘可限定在顶部圆盘的内区和外区之间的热中断部。热中断部可以是或可以包括围绕顶部圆盘的内半径限定的沟槽。在实施例中，热中断部可包括围绕顶部圆盘的内半径在顶部圆盘的第一表面处限定的第一沟槽，以及围绕顶部圆盘的第二内半径在顶部圆盘的与该第一表面相对的第二表面处限定的第二沟槽。第一沟槽和第二沟槽中的至少一者可围绕顶部圆盘不连续地延伸。冷却板可限定在冷却板内的至少一个通道，该至少一个通道被配置成在冷却板中分配从中央端口输送的流体。

在实施例中，加热器可包括与背托板在第一位置处耦合的第一加热器，以及与背托板在从该第一位置径向向外的第二位置处耦合的第二加热器。冷却板和背托板可限定径向位于第一加热器和第二加热器之间的间隙。在一些实施例中，第二加热器可延伸到冷却板的顶表面的径向边缘。第一加热器和第二加热器可被配置成彼此独立地操作。第一加热器和第二加热器可被配置成维持+/- 0.5℃的横跨在基板支撑组件上的基板的温度均匀性。顶部圆盘可以是或可以包括铝。加热器可以是或可以包括聚合物加热器。顶部圆盘可限定围绕顶部圆盘的外半径的至少一个凹入横档。基板支撑组件可包括边缘环，边缘环可沿着凹入横档围绕顶部圆盘延伸。边缘环可在顶部圆盘的顶部平面上方垂直地延伸。边缘环可由与顶部圆盘的外径相等的外径来表征。顶部圆盘可限定多个凹部，并且边缘环可被配置成安置在位于该多个凹部内的陶瓷销上。在一些实施例中，边缘环可安置在陶瓷销上而不接触顶部圆盘。

本技术还涵盖可包括顶部圆盘的基板支撑组件。该基板支撑组件可包括耦合到顶部圆盘的多个加热器。加热器可包括横跨顶部圆盘的后表面延伸的电阻加热器。基板支撑组件可包括冷却板，冷却板与多个加热器在冷却板的第一表面处耦合。冷却板可限定通道，该通道被配置成穿过冷却板来分配温度受控流体。基板支撑组件还可包括与冷却板的与第一表面相对的第二表面耦合的绝缘体。

在一些实施例中，顶部圆盘和绝缘体可包括陶瓷。多个加热器可包括至少四个印刷加热器，并且在实施例中，该四个印刷电阻加热器中的至少三个可以由环形形状来表征。顶部圆盘和冷却板可限定在顶部圆盘的外边缘下方延伸的通道，并且该通道可被配置成安置弹性体元件。在一些实施例中，基板支撑组件还可包括沿着凹入横档围绕冷却板的外部定位的边缘环。