[实用新型]一种提升PERC电池效率和良率的背面膜层结构有效
申请号: | 201820740528.6 | 申请日: | 2018-05-18 |
公开(公告)号: | CN208157421U | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 常青;张鹏;谢耀辉;余波;杨蕾 | 申请(专利权)人: | 通威太阳能(安徽)有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 杨俊达 |
地址: | 230088 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 背面 氮化硅保护膜 制备 氧化铝 氧化铝保护膜 电池效率 背面膜 层结构 钝化膜 良率 本实用新型 氮化硅薄膜 硅片 电池转换效率 机械划伤 良品率 电池 | ||
本实用新型公开了一种提升PERC电池效率和良率的背面膜层结构,包括硅片,所述背面氧化铝钝化膜远离硅片一侧设置有背面氮化硅保护膜,所述背面氮化硅保护膜远离背面氧化铝钝化膜一侧设置有背面氧化铝保护膜;所述背面氧化铝保护膜厚度为2‑30nm,一种制备方法,用于制备提升PERC电池效率和良率的背面膜层结构,包括以下步骤:S1、制备氧化铝钝化膜;S2、制备氮化硅保护膜;S3、制备氧化铝保护膜。本实用新型通过在背面氮化硅保护膜外侧再镀上一层氧化铝,不但可以减弱氮化硅薄膜的副作用,使得电池转换效率得到提升,而且能够保护氮化硅薄膜不易被机械划伤,提升电池良品率,实用性强,非常值得推广。
技术领域
本实用新型涉及电池片背面膜层技术领域,具体为一种提升PERC电池效率和良率的背面膜层结构。
背景技术
P型PERC晶硅太阳能电池(包括双面电池)是在晶硅背面镀氧化铝钝化膜,氧化铝带负电性,对晶硅电池提供场钝化,可以让电池效率大幅提升,通常氧化铝薄膜的厚度在4-20nm,在氧化铝薄膜上面需再镀一层氮化硅用于保护氧化铝,同时氮化硅还有利于提升电池的内反射,降低电流损失。
现有技术中,申请号为“201610865158.4”的一种太阳能电池背钝化膜层结构,其主要改进之处在于,如说明书附图1所示,在太阳能电池衬底背表面依次形成有背面氧化铝钝化膜2、背面氮化硅保护膜3和第二层氮化硅保护膜5,形成多层背钝化膜叠层结构,可以提高太阳能电池的转换效率,但是该背面膜层结构,在使用过程中,仍然存在以下较为明显的缺陷:
1、氮化硅虽然可以提升电池的内反射、降低电流损失,但是氮化硅富含较多的H+离子,带正电性,会减弱氧化铝的钝化作用,不利于电池转换效率的进一步提升;
2、氮化硅膜层设置在最外侧,由于氮化硅膜层致密性较差,使得氮化硅薄膜在制程中容易被划伤,导致良品率下降。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种提升PERC电池效率和良率的背面膜层结构,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:
一种提升PERC电池效率和良率的背面膜层结构,包括硅片,所述硅片背面上设置有背面氧化铝钝化膜,所述背面氧化铝钝化膜远离硅片一侧设置有背面氮化硅保护膜,所述背面氮化硅保护膜远离背面氧化铝钝化膜一侧设置有背面氧化铝保护膜;
所述背面氧化铝保护膜厚度为2-30nm。
优选的,所述背面氧化铝钝化膜厚度为4-20nm,所述背面氮化硅保护膜厚度为80-120nm。
优选的,所述背面氧化铝保护膜厚度为4-10nm。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1、本实用新型通过最外层的背面氮化硅保护膜,可以中和氮化硅中的部分H+,加强了PERC太阳能电池的背面钝化效果,转换效率得到提升;
2、本实用新型根据氧化铝致密性较好的优点,将背面氮化硅保护膜设置在最外层,镀在氮化硅之上可以有效保护氮化硅不被划伤,提升工业化生产中良品率,提高企业效益。本实用新型通过在背面氮化硅保护膜外侧再镀上一层氧化铝,不但可以减弱氮化硅薄膜的副作用,使得电池转换效率得到提升,而且能够保护氮化硅薄膜不易被机械划伤,提升电池良品率,实用性强,非常值得推广。
附图说明
图1为现有技术中背面膜层结构示意图;
图2为本实用新型的背面膜层结构示意图;
图3为本实用新型的背面膜层结构制备流程示意图。
图中:1硅片、2背面氧化铝钝化膜、3背面氮化硅保护膜、4背面氧化铝保护膜、5第二层氮化硅保护膜。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的