[实用新型]光伏与LED集成器件有效
| 申请号： | 201820758756.6 | 申请日： | 2018-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN208336249U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 何嵩;张彬彬 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L31/173 | 分类号： | H01L31/173 |
| 代理公司： | 北京彭丽芳知识产权代理有限公司 11407 | 代理人： | 彭丽芳 |
| 地址： | 361102 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 集成器件 光伏 太阳能发电 第二电极 第一电极 硅材料层 氮化物发光材料 本实用新型 系统可靠性 储能器件 高度集成 能量损耗 依次层叠 整体系统 发光 两极 应用 | ||
【权利要求书】：
1.光伏与LED集成器件，其特征在于：包括依次层叠的第一电极层、PN型硅材料层、氮化物发光材料层和第二电极层。
2.根据权利要求1所述的光伏与LED集成器件，其特征在于：还包括储能器件，所述第一电极层和所述第二电极层分别连接所述储能器件的两极。
3.根据权利要求1所述的光伏与LED集成器件，其特征在于：所述氮化物发光材料层呈点状或带状，并且均匀层叠于所述PN型硅材料层的表面。
4.根据权利要求1所述的光伏与LED集成器件，其特征在于：所述氮化物发光材料层具有发光通道。
5.根据权利要求1所述的光伏与LED集成器件，其特征在于：所述第二电极层具有通孔。
6.根据权利要求1所述的光伏与LED集成器件，其特征在于：所述PN型硅材料层的硅材料为单晶硅。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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