[实用新型]一种具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风

权利要求书

1.一种具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风，其特征在于：

由下向上依次包括硅衬底(1)、SiO₂刻蚀停止层(2)、下多晶硅圆环电极(3)、SiO₂支撑层(4)、上多晶硅振膜层(5)；

贯穿硅衬底(1)、SiO₂刻蚀停止层(2)和下多晶硅圆环电极(3)开设有圆筒形的背腔(6)；

贯穿SiO₂支撑层(4)开设有圆筒形的阻尼腔(7)；

圆筒形的背腔(6)和阻尼腔(7)同轴设置，背腔(6)的圆形横截面直径小于阻尼腔(7)的圆形横截面直径,连通的背腔和阻尼腔为阶梯状圆筒形；

圆形的上多晶硅振膜层(5)架设在阻尼腔(7)上；

上多晶硅振膜层(5)靠近边沿位置设置有圆环形的弹性结构，弹性结构的圆周外沿与阻尼腔(7)内壁对应；

所述的弹性结构由圆周排列的多组通槽(8)组成，增加弹性结构环形内部分的上多晶硅振膜弹性。

2.如权利要求1所述的一种具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风，其特征在于：所述的硅衬底(1)的厚度为300～500um。

3.如权利要求1所述的一种具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风，其特征在于：所述的SiO₂刻蚀停止层(2)是厚度为200～1000nm的SiO₂薄膜。

4.如权利要求1所述的一种具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风，其特征在于：所述的下多晶硅圆环电极(3)是厚度为100～500nm的多晶硅薄膜。

5.如权利要求1所述的一种具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风，其特征在于：所述的SiO₂支撑层(4)是厚度为200～1000nm的SiO₂薄膜。

6.如权利要求1所述的一种具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风，其特征在于：所述的上多晶硅振膜层(5)是厚度为100～500nm的多晶硅薄膜。

7.如权利要求1所述的一种具有频率选择功能的电容式MEMS麦克风，其特征在于：所述的通槽(8)是蛇形槽，或者是由两个梳状槽形成的叉指形槽。