[实用新型]一种带矩形柱的华夫模谐波抑制器

说明书

本实用新型公开了一种带矩形柱的华夫模谐波抑制器，包括谐振腔，输入输出波导和横向2排或以上，纵向2列或以上的只在底部与谐振腔连接的金属柱A。带矩形柱的华夫模谐波抑制器还包括与每一个金属柱A相对应的只在顶部与谐振腔连接的金属柱B。金属柱B的横截面与所述金属柱A的横截面不同。每一根金属柱A嵌入与之对应的两根矩形金属柱B之间。上述设计可以在不减小对应的金属柱A和金属柱B之间的间隙，因而不显著降低器件的功率容量的条件下，有效地增大对应的金属柱A和金属柱B之间的电容，从而加深滤波器的阻带抑制深度并展开滤波器的阻带带宽可以广泛应用于雷达、导弹制导和各种那个移动通信系统中。

技术领域

本实用新型涉及一种微波器件,具体地说，是涉及一类紧凑型高功率谐波抑制滤波器。

背景技术

由于电磁兼容国际国内标准实施的日益强化，通信和军事电子系统的谐波抑制日益成为一个关键技术问题。华夫模(Waffle Iron)波导低通滤波器具有低插损、高功率容量和宽阻带特性，是大功率通信系统和中远程雷达中谐波抑制的主要选择。传统的华夫模波导低通滤波器由上下对称的沿横向和纵向周期排列的金属柱阵列构成。为了加深其谐波抑制深度和展宽其阻带宽度，需要减小上下对应的金属柱之间的间隙，从而导致滤波器的功率容量的急剧下降。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种紧凑型一种带矩形柱的华夫模谐波抑制器，在加深其阻带抑制深度、展宽其阻带带宽的同时，提高谐波抑制滤波器的功率容量。

为了实现上述目的，本实用新型采用的技术方案为：

设计一种带矩形柱的华夫模谐波抑制器，包括谐振腔，输入输出波导和横向2排或以上，纵向2列或以上的只在底部与所述谐振腔(1) 连接的金属柱A(2)，所述金属柱A(2)为矩形体，还包括与每一个金属柱A(2)相对应且只在顶部与所述谐振腔连接的金属柱B(3)，所述金属柱B(3)的横截面与所述金属柱A(2)的横截面不同，所述金属柱A(2)嵌入所述金属柱B(3)内部与所述每一根金属柱A (2)对应有两根矩形金属柱B(3)，每一根所述金属柱A(2)嵌入所述与之对应的两根所述矩形金属柱B(3)之间，在谐振腔的顶部与每一个所述金属柱A(2)对应设置有一个金属凹坑，每一个所述金属柱A(2)嵌入与之对应设置的所述金属凹坑内，所述带矩形柱的华夫模谐波抑制器相对于任意水平面上下都不对称。

本实用新型利用上下不同的金属柱和金属凹坑结构，在不减小上下导体之间的间隙的前提下，有效地增大上下导体之间的电容，从而达到加深谐波抑制滤波器的抑制深度，展宽其阻带带宽的目的。与已有技术相比，本实用新型具有结构紧凑，重量轻，节省材料和结构简单的优点。

附图说明

图1为本实用新型及其实施实例1的示意图。

图2为图1A--A的截面图。

图3为本实用新型实施实例2的示意图。

图中的标号为：1、谐振腔；2、金属柱A；3、金属柱B；4、金属凹坑；5、输入输出波导。

具体实施方式

下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明。

实施实例1

如图1、图2所示，一种带矩形柱的华夫模谐波抑制器，包括谐振腔1，输入输出波导5和横向8排，纵向8列的只在底部与谐振腔 1连接的金属柱A2。带矩形柱的华夫模谐波抑制器还包括与每一个金属柱A2相对应的，只在顶部与所述谐振腔1连接的金属柱B3；金属柱B3的横截面与所述金属柱A2的横截面不同。

金属柱A2为矩形体，与每一根金属柱A2对应有两根矩形金属柱B3；每一根金属柱A2嵌入与之对应的两根矩形金属柱B3之间。在谐振腔1的顶部与每一个金属柱A2对应设置有一个金属凹坑4；每一个金属柱A2嵌入与之对应设置的金属凹坑4内。