[实用新型]单孔可控场发射装置有效
| 申请号： | 201820769368.8 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN208157356U | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 吴大军;陶石;张磊;高晓蕊 | 申请（专利权）人： | 常熟理工学院 |
| 主分类号： | H01J1/304 | 分类号： | H01J1/304 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 范晴 |
| 地址： | 215500 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅微通道 阴极阵列 接地 镍层 阴极 场发射装置 阳极 发射材料 异质结构 单孔 可控 与门 薄膜 悬空 真空微电子器件 本实用新型 独立控制 竖向设置 通透结构 相对设置 场发射 焦耳热 输出相 行选通 源极端 覆盖 漏极 选通 | ||
【权利要求书】：
1.一种单孔可控场发射装置，其特征在于，包括：阴极阵列、硅微通道板、镍层、纵向异质结构薄膜和阳极，其中，阴极阵列和阳极相对设置，硅微通道板相对于阴极竖向设置且孔内覆盖有镍层，镍层与阴极阵列连接并覆盖有纵向异质结构薄膜；
所述阴极阵列中各阴极一一对应设有MOS开关管并与MOS开关管的源极端相连，MOS开关管的漏极接地，MOS开关管的栅极与与门的输出相连接，与门的输入分别表示行选通和列选通，从而控制硅微通道板各孔内发射材料的接地或悬空。
2.根据权利要求1所述单孔可控场发射装置，其特征是，所述纵向异质结构薄膜包括碳基材料和硫化物。
3.根据权利要求2所述单孔可控场发射装置，其特征是，所述碳基材料采用纳米石墨烯。
4.根据权利要求2所述单孔可控场发射装置，其特征是，所述硫化物采用二硫化钼。
5.根据权利要求1或2所述单孔可控场发射装置，其特征是，所述镍层、碳基材料和硫化物依次覆盖在硅微通道板的孔内。
6.根据权利要求1所述单孔可控场发射装置，其特征是，所述各阴极、与门和MOS开关管焊接在电路板上。
7.根据权利要求1所述单孔可控场发射装置，其特征是，所述硅微通道板上表面与阳极之间的间距为50μm～1mm。
8.根据权利要求7所述单孔可控场发射装置，其特征是，所述阳极采用涂有电致发光粉的ITO玻璃。
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