[实用新型]一种具有能量采集功能的声学传感器

权利要求书

1.一种具有能量采集功能的声学传感器，其特征在于：

由下向上依次包括硅衬底(1)、SiO₂刻蚀停止层(2)、多晶硅线圈(3)、SiO₂振膜支撑层(4)、多晶硅振膜层(5)、SiO₂背电极支撑层(6)、SiNx绝缘层(7)、多晶硅背板层(8)、Al₂O₃钝化层(9)；方形螺旋线条状的多晶硅线圈(3)位于SiO₂刻蚀停止层(2)与SiO₂振膜支撑层(4)之间，并嵌在SiO₂振膜支撑层(4)内；

贯穿硅衬底(1)、SiO₂刻蚀停止层(2)和SiO₂振膜支撑层(4)开设有圆筒形的背腔(10)，贯穿SiO₂背电极支撑层(6)开设有圆筒形的振动腔(11)；圆形的多晶硅振膜层(5)架设在背腔(10)上，将背腔(10)和振动腔(11)分隔，圆环形磁性线圈(12)通过圆环形SiO₂支架(13)黏附在多晶硅振膜层(5)的下表面；

SiNx绝缘层(7)、多晶硅背板层(8)和Al₂O₃钝化层(9)构成复合型背板，复合型背板架设在振动腔(11)上；贯穿复合型背板设有通孔(14)，多个通孔(14)成矩阵排列；复合型背板下表面设置有防粘着点(15)，多个防粘着点(15)成矩阵排列；通孔(14)与防粘着点(15)交错布置；

两个线圈电极(16)和(17)分别依次穿过Al₂O₃钝化层(9)、SiO₂背电极支撑层(6)、SiO₂振膜支撑层(4)设置，一端与多晶硅线圈(3)相接，另一端伸出Al₂O₃钝化层(9)；一个振膜电极(18)依次穿过Al₂O₃钝化层(9)、SiO₂背电极支撑层(6)设置，一端与多晶硅振膜层(5)相接，另一端伸出Al₂O₃钝化层(9)；一个背电极(19)穿过Al₂O₃钝化层(9)设置，一端与多晶硅背板层(8)相接，另一端伸出Al₂O₃钝化层(9)；所述的线圈电极、振膜电极、背电极为圆柱形电极。

2.如权利要求1所述的一种具有能量采集功能的声学传感器，其特征在于：所述的硅衬底(1)的厚度为300～500um。

3.如权利要求1所述的一种具有能量采集功能的声学传感器，其特征在于：所述的SiO₂刻蚀停止层(2)、SiO₂振膜支撑层(4)是厚度为200～1000nm的SiO₂薄膜。

4.如权利要求1所述的一种具有能量采集功能的声学传感器，其特征在于：所述的多晶硅振膜层(5)是厚度为100～500nm的多晶硅薄膜。

5.如权利要求1所述的一种具有能量采集功能的声学传感器，其特征在于：所述的SiO₂背电极支撑层(6)是300～500um的SiO₂层。

6.如权利要求1所述的一种具有能量采集功能的声学传感器，其特征在于：所述的SiNx绝缘层(7)是200～500nm的SiNx薄膜。

7.如权利要求1所述的一种具有能量采集功能的声学传感器，其特征在于：所述的多晶硅背板层(8)是200～500nm多晶硅薄膜。

8.如权利要求1所述的一种具有能量采集功能的声学传感器，其特征在于：所述的Al₂O₃钝化层(9)是500～1000nm Al₂O₃薄膜。