[实用新型]负离子发生器

权利要求书

1.一种负离子发生器，其特征在于，包括：波形控制模块、受控逆变器模块、高压变换器模块、倍压整流模块和负离子放电针模块，所述波形控制模块与所述受控逆变器模块连接，所述受控逆变器模块与所述高压变换器模块连接，所述高压变换器模块与所述倍压整流模块连接，所述倍压整流模块与所述负离子放电针模块连接。

2.如权利要求1所述的负离子发生器，其特征在于，所述波形控制模块包括：微处理器、显示器、电源稳压单元、熔断器、第一按键、第二按键、滤波单元及第一电阻；所述电源稳压单元的输入端通过所述熔断器与外部电源接口连接，所述电源稳压单元的输出端分别与所述微处理器的电压输入端、所述显示器的电压输入端连接，所述微处理器与所述显示器连接，所述微处理器通过所述第一电阻与所述受控逆变器模块的使能端连接，所述微处理器通过所述滤波单元与所述受控逆变器模块的脉冲宽度输出控制端连接，所述微处理器分别通过所述第一按键、所述第二按键与所述受控逆变器模块连接，其中，所述第一按键用于调节输出电压，所述第二按键用于设定输出波形和频率。

3.如权利要求2所述的负离子发生器，其特征在于，所述微处理器采用STC15W104芯片，所述微处理器的第一引脚通过所述第一电阻与所述受控逆变器模块使能端连接，所述微处理器的第二引脚与所述电源稳压单元的输出端连接，所述微处理器的第三引脚通过所述滤波单元与所述受控逆变器模块的脉冲宽度输出控制端连接，所述微处理器的第四引脚接地，所述微处理器的第五引脚通过所述第二按键与所述受控逆变器模块连接，所述微处理器的第六引脚通过所述第一按键与所述受控逆变器模块连接，所述微处理器的第七引脚与所述显示器的数据输入端连接，所述微处理器的第八引脚与所述显示器的时钟输入端连接，所述显示器的接地端接地。

4.如权利要求3所述的负离子发生器，其特征在于，所述受控逆变器模块包括：DF6109芯片、第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一滤波电容及第二电阻，所述芯片的P1引脚与所述高压变换器模块连接，所述第一滤波电容的一端通过所述熔断器与外部电源接口连接，所述第一滤波电容的另一端接地，所述芯片的VCC引脚与所述第一滤波电容的未接地的一端连接，所述芯片的N1引脚与所述高压变换器模块连接，所述芯片的REF引脚通过所述第一电容接地，所述芯片的CT引脚通过所述第二电阻与所述REF引脚连接，所述芯片的CT引脚还通过所述第二电容接地，所述芯片的PSW引脚与所述REF引脚连接，所述芯片的NC引脚悬空，所述芯片的ENA引脚通过所述第一电阻与所述微处理器的第一引脚连接，所述芯片的CMP引脚通过所述第三电容接地，所述芯片的FB引脚通过所述滤波单元与所述微处理器的第三引脚连接，所述FB引脚还通过所述第四电容与所述第三电容的未接地的一端连接，所述芯片的AGND引脚、PGND引脚及TIMR引脚均接地，所述芯片的P2引脚和N2引脚分别与所述高压变换器模块连接。

5.如权利要求4所述的负离子发生器，其特征在于，所述高压变换器模块包括：第一PMOS和NMOS组合管、第二PMOS和NMOS组合管、第五电容以及变压器，第一PMOS和NMOS组合管与第二PMOS和NMOS组合管均采用AO4606芯片，所述第一PMOS和NMOS组合管的S2引脚接地，所述第一PMOS和NMOS组合管的G2引脚与所述DF6109芯片的N1引脚连接，所述第一PMOS和NMOS组合管的S1引脚与所述第一滤波电容的未接地的一端连接，所述第一PMOS和NMOS组合管的G1引脚与所述DF6109芯片的P1引脚连接，所述第一PMOS和NMOS组合管的D1引脚和D2引脚均通过所述第五电容与所述变压器的初级线圈的一端连接，所述第二PMOS和NMOS组合管的S2引脚接地，所述第二PMOS和NMOS组合管的G2引脚与所述DF6109芯片的N2引脚连接，所述第二PMOS和NMOS组合管的S1引脚与所述第一滤波电容的未接地的一端连接，所述第二PMOS和NMOS组合管的G1引脚与所述DF6109芯片的P2引脚连接，所述第二PMOS和NMOS组合管的D1引脚和D2引脚均与所述变压器的初级线圈的另一端连接，所述变压器的次级线圈的两端分别与所述倍压整流模块连接。