[实用新型]可变存储容量的单次可编程存储器

说明书

本实用新型提供一种可变存储容量的单次可编程存储器，包括：多个存储单元和多个地址位；控制电路，用于根据烧录良率配置地址位与存储单元的对应关系。本实用新型的可变存储容量的单次可编程存储器，通过控制电路根据烧录良率配置地址位与存储单元的对应关系，在烧录良率未知或较低时，配置较多的备选存储单元以达到多次烧录提高芯片良率的目的，在烧录良率较高时，配置较少的备选存储单元以避免不必要的浪费，提高存储容量，节省芯片面积，降低制造成本，增强芯片适用性。

技术领域

本实用新型涉及一种可变存储容量的单次可编程存储器。

背景技术

在芯片制造过程中，由于机台参数、温度分布等各种因素的影响，会导致芯片之间会有不同程度的参数漂移，如振荡器的频率、参考电压或电流值与设计值存在偏差。这将导致芯片在应用过程中出现非一致性问题，从而影响产品良率，如摄像头模组导致的摄像效果偏差，不同液晶面板的驱动电压差异等，因此，需要对芯片特定参数进行修正，并将修正的值存入寄存器，在芯片上电后读取并校正这些参数，从而改善一致性问题，提高产品良率。这种功能通常使用OTP（One Time Programming）存储器，即单次可编程存储器来实现。

由于OTP存储器的烧录过程通常为破坏性的，例如电介质击穿型（包括熔丝型和反熔丝型）OTP存储器，其烧录成功率同样影响芯片良率。

图1为一常用介质击穿型的OTP存储器结构，MOS管A作为存储单元，在一定时间下对其栅极加一烧录电压VPP，使其发生击穿对存储单元写“1”，未烧录的存储单元为“0”，通过选择开关管M0控制对存储单元的读与写。

为了提高烧录成功率，通常对同一地址增加备用存储单元，这种做法在有限的芯片面积下牺牲了OTP存储器的存储容量，冗余的存储单元还会占用较大的芯片面积，增加成本。

图2为一带备用OTP存储器的电路结构，该电路结构包括多个OTP存储器，当某个OTP存储器中的某个存储单元烧录不成功时，会通过控制信号选择备用OTP存储器中的备用存储单元，直到该地址烧录成功。该结构总的存储容量为一单个OTP存储器的容量，却需占用较大的芯片面积。

图3为另一常用做法，即在同一OTP存储器中，针对同一地址配置多个存储单元A，当某个存储单元A烧录不成功时，会选择备用存储单元A，直到该地址烧录成功。在OTP烧录良率较低时，可以通过选择对不同的存储单元A烧录来达到多次烧录提高芯片良率的目的，然而在OTP烧录良率较高时，较多的备选存储单元造成了不必要的浪费。

另外，OTP存储器的烧录和读取时间以及烧录电压都与工艺参数紧密相关，芯片更新换代的过程中需要根据OTP存储器的存储地址容量、面积、备用存储单元数量与芯片良率之间作出折中选择。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种可变存储容量的单次可编程存储器，灵活配置存储容量，保证芯片良率，节省芯片面积，降低制造成本，增强芯片适用性。

基于以上考虑，本实用新型提供一种可变存储容量的单次可编程存储器，包括：多个存储单元和多个地址位；控制电路，用于根据烧录良率配置地址位与存储单元的对应关系。

优选的，每个存储单元包括至少两个可烧录子单元。

优选的，当烧录良率高于预设阈值，控制电路配置为一个地址位对应一个存储单元。

优选的，当烧录良率未知或低于预设阈值，控制电路配置为一个地址位对应至少两个存储单元。

优选的，所述单次可编程存储器为电介质击穿型单次可编程存储器。

优选的，所述电介质击穿型单次可编程存储器包括熔丝型单次可编程存储器和反熔丝型单次可编程存储器。