[实用新型]一种断路器内部冗余保护结构

权利要求书

1.一种断路器内部冗余保护结构，其特征在于，断路器包括静触头(1)、动触头(2)、脱扣机构(3)和主回路母排(9)；静触头(1)固定于断路器内部，脱扣机构(3)带动动触头(2)旋转；当脱扣机构(3)位于未脱扣状态时，动触头(2)与静触头(1)接触，当脱扣机构(3)位于脱扣状态时，动触头(2)与静触头(1)分离；

断路器内部还安装有电磁瞬时保护结构、热过载长延时保护结构和电子式保护结构；电磁瞬时保护结构包括衔铁(5)，当电磁瞬时保护结构中感应到电磁力时，衔铁(5)触发脱扣机构(3)动作使之位于脱扣状态，之后动触头(2)与静触头(1)分离；热过载长延时保护结构包括双金属片(4)，当双金属片(4)发生形变时触发脱扣机构(3)动作使之位于脱扣状态，之后动触头(2)与静触头(1)分离；电子式保护结构包括电子脱扣机构(6)和线路板(7)；线路板(7)中安装有电源处理电路、电流采样电路和MCU(U7)；电源处理电路为电流采样电路和MCU(U7)提供电源；电流采样电路的输入端口连接至电流互感器(8)的电流输出端；断路器的主回路中，电流采样电路的输出端口连接至MCU(U7)的信号输入端；MCU(U7)的信号输出端口连接至电子脱扣机构(6)的信号输入端；当电子脱扣机构(6)接收到MCU(U7)的触发信号，电子脱扣机构(6)触发脱扣机构(3)动作使之位于脱扣状态，之后动触头(2)与静触头(1)分离。

2.如权利要求1所述的断路器内部冗余保护结构，其特征在于，主回路母排(9)与动触头(2)连接；主回路母排(9)之上安装有与主回路母排(9)并联的支路导线；支路导线上安装有电流互感器(8)。

3.如权利要求1所述的断路器内部冗余保护结构，其特征在于，所述MCU(U7)的型号是STM32F051。

4.如权利要求1所述的断路器内部冗余保护结构，其特征在于，所述电源处理电路包括第一三端稳压器(U1)和第二三端稳压器(U2)；第一三端稳压器(U1)的输出端输出9V的电压，输送至线路板(7)中的外围电路；第二三端稳压器(U2)的输出端输出3.3V电压，输送至MCU(U7)和电流采样电路。

5.如权利要求1所述的断路器内部冗余保护结构，其特征在于，所述电流采样电路包括电路组成结构相同的A相电流采样电路、B相电流采样电路和C相电流采样电路；

电流采样电路组成结构为：包括两个电流输入端口；还包括第一运算放大器和第二运算放大器；

电流采样电路还包括有依次串联的第四采样电阻、第一采样电阻、第二采样电阻和第三采样电阻，此串联电路的一端连接至第一运算放大器的输出端，另一端连接参考电压源；第一运算放大器的反相输入端连接至第二采样电阻和第三采样电阻的公共端；第一运算放大器的正相输入端连接至第四采样电阻和第一采样电阻的公共端；第一电流输入端口连接至第一采样电阻和第二采样电阻的公共端；

电流采样电路还包括相串联的第五采样电阻和第六采样电阻；此串联电路一端连接至第一电流输入端口，另一端作为信号输出端；第二运算放大器的反相输入端连接至第五采样电阻和第六采样电阻的公共端，第二运算放大器的同相输入端连接至第二电流输入端口。

6.如权利要求4所述的断路器内部冗余保护结构，其特征在于，所述MCU(U7)的型号是STM32F051；A相电流采样电路的第一信号输出端、第二信号输出端，B相电流采样电路的第一信号输出端、第二信号输出端，C相电流采样电路的第一信号输出端、第二信号输出端以此连接于MCU(U7)的第十三引脚至第十八引脚。