[实用新型]集成电路存储器及半导体集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路存储器，其特征在于，包括：

一衬底，所述衬底中具有多个呈阵列式排布的有源区；

一字线组，形成在所述衬底中，所述字线组包括多条沿着第一方向依次排布的字线，每一所述字线在第二方向上延伸并与相应的所述有源区连接；

一位线组，形成在所述衬底上，所述位线组包括多条沿着第二方向依次排布的位线，每一所述位线在第一方向上延伸并与相应的所述有源区连接；以及，

一外围隔墙，形成在所述衬底上并设置在所述位线组的外围，并且所述外围隔墙和所述位线组位于同一结构层中。

2.如权利要求1所述的集成电路存储器，其特征在于，相邻的所述位线之间具有第一间隔尺寸，所述外围隔墙与平行向最接近的位线之间具有第二间隔尺寸，所述第二间隔尺寸与所述第一间隔尺寸的绝对差值小于等于所述位线的宽度值。

3.如权利要求1所述的集成电路存储器，其特征在于，所述外围隔墙包括第一隔墙部，所述第一隔墙部沿着所述第一方向延伸，并设置在对应边缘位置的位线远离位线组中心的外侧。

4.如权利要求3所述的集成电路存储器，其特征在于，所述外围隔墙还包括第二隔墙部，所述第二隔墙部沿着所述第二方向延伸，并设置在所述位线组靠近各个位线端部的外侧。

5.如权利要求4所述的集成电路存储器，其特征在于，所述第一隔墙部和所述第二隔墙部的端部相互连接，以使所构成的外围隔墙配置为环形结构，并环绕在所述位线组的外周围上。

6.如权利要求1所述的集成电路存储器，其特征在于，所述外围隔墙的宽度尺寸大于所述位线的宽度尺寸。

7.如权利要求1所述的集成电路存储器，其特征在于，所述外围隔墙的长度尺寸大于所述位线的长度尺寸。

8.如权利要求1所述的集成电路存储器，其特征在于，还包括：

多个位线接触垫，形成在所述衬底上，一个所述位线接触垫与一条所述位线的端部连接。

9.如权利要求8所述的集成电路存储器，其特征在于，所述位线沿其延伸方向具有两个相对的第一端部和第二端部，相邻的两条所述位线中，对应的两个位线接触垫分别形成在两条位线的第一端部和第二端部上。

10.如权利要求8所述的集成电路存储器，其特征在于，所述衬底中定义有一器件区和一周边区，所述周边区位于所述器件区的外围，多个所述有源区、所述字线组、所述位线组和所述外围隔墙均设置在所述衬底的所述器件区中；

其中，在所述第二方向上，最边缘的有源区至所述器件区的边界之间具有一位线侧留白区，所述位线侧留白区在所述第二方向上的宽度尺寸大于相邻的所述位线之间的宽度尺寸，所述外围隔墙形成在所述位线侧留白区中。

11.如权利要求10所述的集成电路存储器，其特征在于，还包括：

多个周边电路，形成在所述衬底的所述周边区中，并且所述周边电路具有一栅极结构，所述栅极结构和所述位线接触垫在同一结构层中。

12.一种半导体集成电路器件，其特征在于，包括：

一衬底，所述衬底中具有多个呈阵列式排布的有源区；

一传导线组，形成在所述衬底上，所述传导线组包括多条沿着第二方向依次排布的传导线，每一所述传导线在第一方向上延伸并与相应的所述有源区连接；以及，

一外围隔墙，形成在所述衬底上并设置在所述传导线组的外围，并且所述外围隔墙和所述传导线组位于同一结构层中。