[实用新型]能提高耐压能力的半导体器件终端结构有效
| 申请号： | 201820797706.9 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN208336233U | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 刘锋;周祥瑞;殷允超 | 申请（专利权）人： | 江苏捷捷微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/778 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 226200 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一导电类型 终端保护区 耐压能力 元胞区 半导体基板 半导体器件 本实用新型 导电类型 终端结构 场限环 衬底 环绕 导电类型离子 漂移 半导体工艺 导通电阻 渐变梯度 降低器件 器件制造 逐渐增大 漂移区 终端区 减小 源区 兼容 指向 终端 | ||
1.能提高耐压能力的半导体器件终端结构，包括终端保护区，所述终端保护区环绕在元胞区的周围，所述终端保护区包括半导体基板，所述半导体基板包括第一导电类型衬底（1）及位于第一导电类型衬底（1）上的第一导电类型漂移区（2），其特征在于，在终端保护区，所述第一导电类型漂移区（2）内设有一个环绕元胞区的第二导电类型场限环区（5），所述第二导电类型场限环区（5）内第二导电类型离子浓度从终端区指向元胞区的方向上逐渐增大，形成浓度渐变梯度。
2.根据权利要求1所述的能提高耐压能力的半导体器件终端结构，其特征在于：在终端保护区，所述第一导电类型漂移区（2）上设有场氧化层（6），所述场氧化层（6）上覆盖有导电多晶硅（8），所述导电多晶硅（8）上覆盖有绝缘介质层（9），所述绝缘介质层（9）上设有栅极金属（11）与终端金属（12），所述栅极金属（11）穿过绝缘介质层（9）内的通孔与导电多晶硅（8）接触，所述终端金属（12）为浮空。
3.根据权利要求2所述的能提高耐压能力的半导体器件终端结构，其特征在于：在终端保护区，所述绝缘介质层（9）穿过导电多晶硅（8）与场氧化层（6）连接。
4.根据权利要求1所述的能提高耐压能力的半导体器件终端结构，其特征在于：在元胞区，在所述第一导电类型漂移区（2）内设有第二导电类型体区（13）、位于所述第二导电类型体区（13）内的第一导电类型源区（14）及位于第二导电类型体区（13）间的栅氧化层（7）、导电多晶硅（8），所述栅氧化层（7）位于导电多晶硅（8）下方，所述导电多晶硅（8）上覆盖有绝缘介质层（9），所述绝缘介质层（9）的通孔内填充有源极金属（10），所述源极金属（10）穿过绝缘介质层（9）内的通孔与第二导电类型体区（13）内的第一导电类型源区（14）接触。
5.根据权利要求1所述的能提高耐压能力的半导体器件终端结构，其特征在于：在元胞区到终端保护区的过渡区，所述第二导电类型场限环区（5）与第一导电类型漂移区（2）内的第二导电类型体区（13）连接，且第二导电类型体区（13）的结深小于第二导电类型场限环区（5）的结深。
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