[实用新型]一种双面发电光伏组件有效
申请号: | 201820798503.1 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN208596684U | 公开(公告)日: | 2019-03-12 |
发明(设计)人: | 段军;胡德政;徐希翔;李沅民 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 双面发电 透明基板 太阳能电池片 本实用新型 光伏组件 凹凸结构 层叠设置 发电效率 光伏发电 受光表面 相对两侧 光吸收 入射光 光径 相背 照射 | ||
本实用新型涉及光伏发电技术领域,尤其涉及一种双面发电光伏组件。能够有效改变光径,增加组件光吸收,提高发电效率。本实用新型实施例提供一种双面发电光伏组件,包括:双面发电太阳能电池片,以及层叠设置在该双面发电太阳能电池片相对两侧的第一透明基板和第二透明基板;该第一透明基板和所述第二透明基板相对的两个表面均形成有凹凸结构;该凹凸结构用于分别将照射到该第一透明基板和所述第二透明基板相背的两个表面的入射光聚集至该双面发电太阳能电池片的受光表面上。本实用新型实施例用于双面发电。
技术领域
本实用新型涉及光伏发电技术领域,尤其涉及一种双面发电光伏组件。
背景技术
晶体硅太阳电池实际上是一个大的平面二极管,就n型电池而言,电池的基体是n-Si,基体的前表面通过扩散重掺杂形成p+发射极,p+发射极与n-Si基体接触形成p+-n结,基体的背表面通过扩散或者离子注入重掺杂形成n+背场,n+背场与n-Si基体接触形成n+-n高低结。p+-n结和n+-n高低结内部都存在内建电场,可以分离光照产生的电子-空穴对,被分离的电子通过背场上面的背电极、空穴通过发射极上面的前电极输出到外电路,驱动负载运行。
如图1所示,为一种双面电池即钝化发射极背表面全扩散电池n-PERT(PassivatedEmitter,Rear Totally-diffused cell)的结构示意图,该双面电池的结构为:金属电极01、前表面减反膜02、硼掺杂发射极03、n型硅04、磷掺杂背场(BSF)05、背面减反射膜06和背面电极07。n-PERT双面电池和单面电池相比,主要在于背面结构的不同,双面电池的背面采用高透过的SiNx做钝化/减反射膜,背面金属电极和前面金属电极的面积一样,占电池的面积的3%;而单面电池的背面电极07采用全金属覆盖,如图2所示。
图3和图4分别为双面电池和单面电池的发电原理示意图。如图3所示,当太阳光照到n-PERT双面电池的时候,会有部分光线被周围的环境反射照射到n-PERT双面电池的背面,这部分光可以透过SiNx材料,被硅吸收,激发的电子-空穴对被n+-n高低结分离,从而对电池的光电流和效率产生贡献。然而,单面电池的背面被金属电极完全覆盖,金属电极的厚度通常为10μm,光无法穿透背面金属电极被硅吸收,因此,单面电池几乎无法利用由背面射入电池的光线,在电池背面反射率不为零的情况下,双面电池比单面电池具有更高的发电效率。
然而,目前的双面电池的前表面和背面通常采用平面玻璃,当斜射光照射到平面玻璃上时不易被吸收,从而不利于光电转换效率的提高。
实用新型内容
本实用新型的主要目的在于,提供一种双面发电光伏组件,能够有效改变光径,增加组件光吸收,提高发电效率。
为达到上述目的,本实用新型采用如下技术方案:
本实用新型实施例提供一种双面发电光伏组件,包括:
双面发电太阳能电池片,以及层叠设置在所述双面发电太阳能电池片相对两侧的第一透明基板和第二透明基板;所述第一透明基板和所述第二透明基板相对的两个表面均形成有凹凸结构,所述凹凸结构用于分别将照射到所述第一透明基板和所述第二透明基板相背的两个表面的入射光聚集至所述双面发电太阳能电池片的受光表面上。
可选的,所述第一透明基板和所述第二透明基板相背的两个表面上均形成有减反射膜层。
可选的,所述减反射膜层对光的反射率小于等于1%。
可选的,所述双面发电太阳能电池片为异质结电池片。
可选的,所述凹凸结构包括形成在所述第一透明基板表面的多个三棱柱状凸起结构,以及形成在所述第二透明基板表面的多个三棱柱状凸起结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的