[实用新型]一种高纯镓的结晶装置有效
申请号: | 201820805942.0 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN208293060U | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 董建雄;李少雄;秦曾言;刘钢湘;潘首道;赵亚伟;赵东亮;毕效革;程涛;沈乐;刘涛;亢子铭 | 申请(专利权)人: | 中铝矿业有限公司;中国铝业股份有限公司 |
主分类号: | C22B58/00 | 分类号: | C22B58/00 |
代理公司: | 中国有色金属工业专利中心 11028 | 代理人: | 李子健 |
地址: | 450041 河*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 搅拌器 恒温水浴槽 结晶管 搅拌控制装置 本实用新型 结晶装置 高纯镓 装置操作 重现性 上端 温差 | ||
本实用新型提供的一种高纯镓结晶装置包括结晶管、恒温水浴槽、恒温搅拌器、搅拌控制装置,所述恒温搅拌器置于结晶管中,恒温搅拌器与恒温水浴槽有温差,结晶管置于恒温水浴槽中;所述恒温搅拌器上端设有搅拌控制装置。本实用新型装置操作方法简单,得到的镓纯度高,重现性好。
技术领域
本实用新型涉及高纯镓生产技术领域,具体是一种高纯镓的结晶装置及方法。
背景技术
镓是一种贵重的稀散金属,应用范围广泛。它可用于低熔点合金、超导材料、原子反应堆中的热载体;按照产品用途,“6N”镓主要用于掺杂的GaAs、GaP、GaSb等半导体材料,不仅要求产品的纯度达到99.9999%,尤其对Si、Fe、Zn、Cu等元素的含量要求苛刻。“7N”镓,主要用于制作IC衬底的半绝缘砷化镓,除C、N、O和Ta外,主要杂质的含量必须在0.005ppm以下,一般称为电路级超纯镓。用于分子束外延源的镓,除C、N、O和Ta外,所有杂质元素的含量都应低于GDMS分析的检测极限。
高纯镓结晶法是金属镓提纯的方法之一,结晶法提纯的原理是借助于镓金属独特的过冷却特性,在过冷的镓液体中加入一定的镓晶体做晶种,促使晶体迅速生长,析出的晶体比初始的液体纯度更高,而杂质逐步富集到液体中。将生成的晶体从液态镓中分离出,可得到结晶提纯后的镓。在整个过程中,搅拌可以防止晶粒聚集在冷却面上,让晶粒在液体中处于悬浮状态,液固均匀分布,避免局部区域过量成核及晶体表面结壳。可见,搅拌是结晶过程中的核心,现有装置中的搅拌器为一根玻璃试管,内装有纯水,由一根绳子牵引,连接曲柄连杆机构做上下往复运动。由于运动轨迹不确定,尤其是下降过程中不是直线往返运动,容易反复撞击结晶槽,且随着结晶槽晶体高度的增加,极易造成搅拌棒及结晶槽底破裂。
目前已公开的专利申请如CN10487822A、CN203256317U描述的结晶装置复杂,成本高,专利申请CN101386923A描述的结晶方法结晶速度慢、结晶量少,不能大批量的生产,专利申请CN106048262A描述的结晶方法存在温度分布不均匀,固液界面不稳定,固液分离困难等问题。
发明内容
本实用新型的目的是为了解决现有技术存在的问题,提供一种高纯镓的结晶装置及方法。
上述目的是通过下述方案实现的:
一种高纯镓的结晶装置,包括结晶管、恒温水浴槽、恒温搅拌器及搅拌控制装置,恒温搅拌器置于结晶管中,恒温搅拌器与恒温水浴槽有温差,结晶管置于恒温水浴槽中,恒温搅拌器上端设有搅拌控制装置。
根据上述结晶装置,其特征在于,所述曲柄连杆机构包括调速电机、圆盘、连杆、导向座和滑杆,所述调速电机固定在支架顶端,所述调速电机的输出转轴与圆盘中心位置连接,所述连杆一端与圆盘偏心位置连接,所述连杆另一端与穿过导向座的滑杆铰接,所述滑杆自由端与夹瓶器上端连接。
根据上述结晶装置,其特征在于,所述夹瓶器为中空结构,上下端开孔;所述滑杆自由端穿过夹瓶器上端的孔,所述滑杆自由端装有螺母,所述螺母直径大于夹瓶器上端开孔直径;所述夹瓶器下端开孔与恒温搅拌器上端用锥套螺母连接。
根据上述结晶装置,其特征在于,所述的恒温搅拌器为玻璃试管,玻璃试管瓶口用塞子塞住,在塞子上插两根水管实现循环热水。
本实用新型的有益技术效果:本实用新型采用恒温搅拌器,能够保证结晶温度梯度的恒定,得到产品纯度高,在99.99999%以上。而且,该装置利用导向座和滑杆控制了恒温搅拌器的运动轨迹,不会反复撞击结晶管而导致结晶管破裂,同时,恒温搅拌器采用锥套连接,安装拆卸方便。总之,使用该装置及方法制备高纯镓操作简单,成本低廉。
附图说明
图1是本实用新型的结构示意图。
图2为图1中Ⅰ处放大图。
具体实施方式
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