[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201820808788.2 | 申请日： | 2018-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN208570587U | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 程景伟;翁春强;王玉忠 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 第一表面 第二表面 半导体装置 导电迹线 导电通孔 方向延伸 平行 邻近 本实用新型 后沿 贯穿 延伸 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：
第一表面；
与所述第一表面相对的第二表面；及
一或多个导电迹线，所述导电迹线具有邻近于所述第一表面的第一端口和邻近于所述第二表面的第二端口，所述导电迹线从所述第一端口沿平行于所述第一表面的方向延伸，且通过第一导电通孔后沿平行于所述第二表面的方向延伸至所述第二端口，所述第一导电通孔从所述第一表面贯穿所述半导体装置延伸至所述第二表面。
2.根据权利要求1所述半导体装置，其特征在于，所述导电迹线进一步包括接点，其中所述接点暴露于所述第一表面或所述第二表面上。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其进一步包括位于所述半导体装置内的邻近所述第一表面的第一接地面、邻近所述第二表面的第二接地面和从所述第一接地面延伸至所述第二接地面的第二导电通孔，所述第二接地面与所述第一接地面相对。
4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，所述第二导电通孔邻近所述第一导电通孔。
5.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，其进一步包括从所述第一接地面延伸至所述第二接地面的第三导电通孔。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，所述第三导电通孔邻近所述第一导电通孔。
7.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，其进一步包括从所述第一接地面延伸至所述第二接地面的导电环，所述导电环包围且邻近所述第一导电通孔。
8.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置具有多层结构。
9.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述导电迹线具有约50欧姆的阻抗。
10.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置的所述导电迹线通过所述第一表面上的第一焊垫电连接至载板，所述半导体装置的所述导电迹线通过所述第二表面上的第二焊垫电连接至第一集成电路封装体，其中所述载板包括电连接至第二集成电路封装体的导电迹线，且所述半导体装置的导电迹线与所述载板的导电迹线具有大体上相同的阻抗。
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