[实用新型]一种大功率LED器件的封装结构

说明书

本实用新型公开了一种大功率LED器件的封装结构，包括基板，通过锡膏或者共晶焊接的方式固定在所述基板上的大功率垂直结构的LED芯片、设置在所述基板周围的用于调节所述LED芯片出光效率的反射围墙，以及设置在所述LED芯片上方的且用于实现所述LED器件不同色温白光的荧光体；所述LED芯片与所述荧光体的距离大于100um。本实用新型的封装结构不仅采用垂直结构的LED芯片进行封装，而且采用将荧光体与LED芯片分离的方式；有效地解决了大功率高电流密度LED封装过程中的散热问题，极大地延长了LED器件的使用寿命。

技术领域

本实用新型属于半导体照明技术领域。更具体地，涉及一种大功率LED器件的封装结构。

背景技术

从LED芯片结构来划分LED器件，有3种情况，分别为正装结构、垂直结构以及倒装结构。正装结构的LED芯片p、n电极在LED同一侧，容易出现电流拥挤现象，且热阻较高。而垂直结构的LED芯片正好可以解决正装结构LED芯片遇到的问题，且可以达到很高的电流密度和均匀度。未来灯具成本的降低除了材料成本，功率做大减少LED颗数显得尤为重要，垂直结构的LED芯片能够很好的满足这样的需求。这也导致垂直结构的LED芯片通常用于大功率LED器件应用领域，而正装结构的LED芯片一般应用于中小功率LED器件。

另外，LED封装中一个关键问题在于荧光粉需要均匀的涂敷在LED芯片表面，否则会出现中心色温高、四周色温低，即产生黄圈，现有管控比较难。LED封装的另一个关键问题在于散热，现有工艺一般是荧光粉和LED芯片直接接触，温度过高，会影响荧光粉的发光效率，长期高温点亮工作会影响LED器件/模组的寿命；

实用新型内容

为解决上述技术问题，本实用新型的一个目的在于提供一种大功率的LED器件的封装结构。该封装结构通过将荧光体和LED芯片分离的方式，有效解决了LED封装过程中散热的问题，进而极大地延长了LED器件的使用寿命。

为达到上述目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种大功率LED器件的封装结构，包括基板，通过锡膏或者共晶焊接的方式固定在所述基板上的大功率垂直结构的LED芯片、设置在所述基板周围的用于调节所述LED芯片出光效率的反射围墙，以及设置在所述LED芯片上方的且用于实现所述LED器件不同色温白光的荧光体；所述LED芯片与所述荧光体的距离大于100um。

优选地，所述LED器件的色温可以通过调节所述LED芯片与所述荧光体的距离进行调整。

优选地，所述荧光体为单层或多层结构；按照荧光体的颜色划分，所述单层荧光体或多层荧光体的每层结构可以选择为红色荧光体、黄色荧光体、绿色荧光体和黄绿荧光体中的一种。

优选地，按照所述荧光体的种类划分，所述单层荧光体或多层荧光体的每层结构可以选择为荧光陶瓷片，荧光薄膜和荧光硅胶中的一种。

优选地，所述基板上固定有多个大功率垂直结构的LED芯片；所述LED芯片之间、LED芯片与基板之间，以及反射围墙上均喷涂有用于提高反射率的白胶。

优选地，所述LED芯片为蓝光LED芯片或者波长为360～420nm的UV芯片。

优选地，所述基板为高导热的陶瓷基板或金属基板。

优选地，若所述荧光体为荧光体硅胶，则在所述荧光体和所述LED芯片之间需增加一层透明的硅胶作为支撑结构。

优选地，通过调节所述反射围墙和所述基板的角度可以调节所述LED芯片的出光效率。

本实用新型的有益效果如下：

1、本实用新型的封装结构不仅采用垂直结构的LED芯片进行封装，而且采用将荧光体与LED芯片分离的方式；有效地解决了大功率高电流密度LED封装过程中的散热问题，极大地延长了LED器件的使用寿命。