[实用新型]过压保护电路

权利要求书

1.一种过压保护电路，其特征在于，所述过压保护电路包括：电子开关、储能电容、比较器以及驱动电路；

所述电子开关用于接入输入电压；

所述储能电容与所述电子开关连接，用于在所述电子开关导通时储存电能，并在所述电子开关断电时放电；

所述比较器分别与所述储能电容、驱动电路连接，所述驱动电路与所述电子开关连接，所述比较器用于接入基准电压以及所述储能电容的放电电压，并将所述放电电压与所述基准电压进行比较，在所述放电电压大于基准电压时，触发所述驱动电路维持所述电子开关的关断状态；所述比较器还用于在所述放电电压降低至小于所述基准电压时，触发所述驱动电路导通所述电子开关。

2.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述电子开关为PMOS管Q1，所述驱动电路包括PMOS管Q2、电容C1以及NMOS管Q3；

所述PMOS管Q1的源极接入所述输入电压，所述PMOS管Q1的源极还与所述PMOS管Q2的源极连接，所述PMOS管Q1的源极还与所述PMOS管Q2的栅极连接，所述PMOS管Q1的源极还通过所述电容C1与所述NMOS管Q3的栅极连接；

所述PMOS管Q1的漏极与所述储能电容连接；

所述PMOS管Q1的栅极与所述PMOS管Q2的漏极连接，所述PMOS管Q1的栅极还与所述NMOS管Q3的漏极连接；

所述比较器的输出端分别与所述电容C1、所述NMOS管Q3的栅极连接。

3.根据权利要求2所述的过压保护电路，其特征在于，所述驱动电路还包括电阻R1以及电阻R2；

所述PMOS管Q1的源极是通过所述电阻R1与所述PMOS管Q2的栅极连接，所述PMOS管Q1的源极是依次通过所述电阻R1、电容C1与所述NMOS管Q3的栅极连接，所述PMOS管Q1的栅极是通过所述电阻R2与所述NMOS管Q3的漏极连接。

4.根据权利要求3所述的过压保护电路，其特征在于，所述过压保护电路还包括基准电压提供电路；所述基准电压提供电路与所述比较器连接；

所述基准电压提供电路用于接入所述输入电压，并为所述比较器提供所述基准电压。

5.根据权利要求4所述的过压保护电路，其特征在于，所述基准电压提供电路包括三端稳压管和电阻R3；

所述三端稳压管的阴极通过所述电阻R3接入所述输入电压，所述三端稳压管的阳极接地，所述三端稳压管的参考极与所述比较器的输入端连接。

6.根据权利要求5所述的过压保护电路，其特征在于，所述比较器为运算放大器；所述三端稳压管的参考极是与所述运算放大器的同相输入端连接，所述运算放大器的反相输入端与所述储能电容连接。

7.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，

所述过压保护电路还包括电感，所述电子开关是通过所述电感与所述储能电容连接。

8.根据权利要求1所述的过压保护电路，其特征在于，所述电子开关为NMOS管或IGBT管。

9.根据权利要求1-8任一项所述的过压保护电路，其特征在于，所述过压保护电路还包括取样电路；所述比较器通过所述取样电路与所述储能电容连接；

所述比较器是通过所述取样电路取样所述储能电容的放电电压。

10.根据权利要求9所述的过压保护电路，其特征在于，所述取样电路包括电阻R5和电阻R6，所述电阻R5和电阻R6串联，所述电阻R5与所述储能电容连接，所述电阻R6接地，所述电阻R5和电阻R6的公共节点所述比较器连接，所述比较器是从所述公共节点得到所述放电电压。