[实用新型]LDMOS晶体管

说明书

本实用新型公开了一种LDMOS晶体管，包括临近漏端的场氧化层和沿长度方向与所述场氧化层相邻的至少一个漏氧化层，其中，所述漏氧化层的厚度小于所述场氧化层的厚度，当所述漏氧化层的个数大于1时，从所述漏端到所述沟道方向所述漏氧化层的厚度递减；还包括位于漏极区域的具有第二掺杂类型的漂移区，从所述漏端到所述沟道方向所述漂移区的注入深度递减。本实用新型提出的所述厚度递减的漏氧化层可以很好的缓解鸟嘴效应，改善热载流子效应，提高晶体管的可靠性和击穿电压，所述注入深度递减的漂移区使得晶体管的击穿电压和导通电阻获得更好的折中。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体技术，更具体地说，涉及一种LDMOS晶体管。

背景技术

在各种电子系统中，诸如DC至DC电压变换器之类的电压调节器用于提供稳定的电压源。低功率设备(例如笔记本、移动电话等)中的电池管理尤其需要高效率的DC至DC变换器。开关型电压调节器通过将输入DC电压转换成高频电压、然后对高频输入电压进行滤波以产生输出DC电压来产生输出电压。具体地，开关型调节器包括用于交替地将DC电压源(例如电池)耦合至负载(例如集成电路(IC))和将二者去耦合的功率开关。

LDMOS晶体管由于其在导通电阻(R_dson)和击穿电压(BV)之间的均衡性能而广泛应用于开关式调节器。在现有工艺中，通常耐压大于40V的晶体管需要引入较厚的场氧化层作为高压漏氧化层，但该结构由于厚场氧化层的存在会产生显著的鸟嘴效益，限制了高压晶体管R_dson与BV之间的折中关系，并且具有较差热载流子效应(hot-carrier effect)，严重影响了晶体管的可靠性。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种LDMOS晶体管，以解决现有技术存在的问题。

本实用新型提供一种LDMOS晶体管，包括临近漏端的场氧化层和沿长度方向与所述场氧化层相邻的至少一个漏氧化层；

其中，所述漏氧化层的厚度小于所述场氧化层的厚度，通过调节所述场氧化层和所述漏氧化层的长度比值，以提高所述LDMOS晶体管的击穿电压性能。

优选地，所述LDMOS晶体管还包括，位于漏极区域的具有第二掺杂类型的漂移区，从所述漏端到所述沟道方向所述漂移区的注入深度递减，以提高所述LDMOS晶体管的导通电阻性能。

优选地，所述LDMOS晶体管还包括，位于源极区域的具有第一掺杂类型的复合阱区，沿长度方向，靠近所述漏端侧，具有凸出的第一区域，沿厚度方向，向基层的底部具有凸出的第二区域。

优选地，从所述漏端到所述沟道方向所述漂移区的掺杂浓度递减。

优选地，所述复合阱区由第二阱区和第一阱区叠加形成，其中，所述第一阱区比所述第二阱区的宽度宽，所述第二阱区比所述第一阱区的深度深。

优选地，所述第二阱区的掺杂浓度小于所述第一阱区的掺杂浓度。

优选地，当所述漏氧化层的个数大于1时，从所述漏端到所述沟道方向所述漏氧化层的厚度递减。

优选地，所述LDMOS晶体管还包括，沿长度方向，从沟道上方至少延伸至第二厚度的氧化层表面的栅极导体，其中，第二厚度的氧化层为在所述场氧化层和所述漏氧化层中厚度为第二的氧化层。

优选地，所述LDMOS晶体管还包括，位于所述栅极导体下方的栅介质层，其中，所述栅介质层与所述漏氧化层相邻。

优选地，所述基层包括半导体衬底和位于所述半导体衬底中具有第二掺杂类型的深阱区，

所述漂移区和所述复合阱区均位于所述深阱区。

优选地，所述LDMOS晶体管还包括，位于所述漂移区中的具有第二掺杂类型的漏区。