[实用新型]一种设备前端模块有效
申请号: | 201820817206.7 | 申请日: | 2018-05-29 |
公开(公告)号: | CN208240643U | 公开(公告)日: | 2018-12-14 |
发明(设计)人: | 陈健健;姚立强;陆涛;田洪生;赵兵权 | 申请(专利权)人: | 东泰高科装备科技(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/677 | 分类号: | H01L21/677 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;魏雪梅 |
地址: | 102209 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆 传送机构 缓存腔 设备前端模块 卸载腔室 本实用新型 装载腔室 输出端 半导体领域 输出端连接 输入端连接 工艺生产 工艺要求 人工操作 输入端 节拍 打断 装载 输出 生产 | ||
1.一种设备前端模块,其特征在于,包括:缓存腔室,所述缓存腔室包括第一传送机构和第二传送机构;
所述缓存腔室的输入端与装载腔室的输出端连接,所述缓存腔室的输出端与卸载腔室的输入端连接;
所述第二传送机构上放有装载有假晶圆的载体,用于将装有假晶圆的载体输送至卸载腔室;
所述第一传送机构用于将从装载腔室的输出端输出的装有晶圆的载体输送至卸载腔室。
2.根据权利要求1所述的设备前端模块,其特征在于,还包括:移动机构;所述第一传送机构和所述第二传送机构上下布置;
所述移动机构的一端与所述第一传送机构相连,所述移动机构的另一端与所述第二传送机构相连,用于带动所述第一传送机构和所述第二传送机构上下移动,以使所述第一传送机构与所述装载腔室及所述卸载腔室构成传送线;或者,使所述第二传送机构与所述卸载腔室构成传送线。
3.根据权利要求2所述的设备前端模块,其特征在于,所述第一传送机构包括多个第一横向传送滚轮,所述第一横向传送滚轮沿横向方向分别设置在所述第一传送机构的框架体的两侧边;
所述第二传送机构包括多个第二横向传送滚轮,所述第二横向传送滚轮沿横向方向分别设置在所述第二传送机构的框架体的两侧边;
其中,所述横向为从所述装载腔室至所述缓存腔室的方向。
4.根据权利要求3所述的设备前端模块,其特征在于,所述第一传送机构还包括多个第一纵向传送滚轮,所述第一纵向传送滚轮沿纵向方向分别设置在所述第一传送机构的框架体的另外两侧边;
所述第二传送机构还包括多个第二纵向传送滚轮,所述第二纵向传送滚轮沿纵向方向分别设置在所述第二传送机构的框架体的另外两侧边。
5.根据权利要求1所述的设备前端模块,其特征在于,所述第一传送机构和所述第二传送机构左右布置;
所述第一传送机构的输入端与所述装载腔室的输出端相连,所述第一传送机构的输出端与所述卸载腔室的输入端相连;
所述第二传送机构的输出端与所述第一传送机构的第三端相连,所述第一传送机构的第三端为所述第一传送机构除了输入端和输出端以外的任一端。
6.根据权利要求5所述的设备前端模块,其特征在于,所述第一传送机构包括多个第三横向传送滚轮和多个第三纵向传送滚轮,所述第三横向传送滚轮沿横向方向分别设置在所述第一传送机构的框架体的两侧边;所述第三纵向传送滚轮沿纵向方向分别设置在所述第一传送机构的框架体的另外两侧边;
所述第二传送机构包括多个第四纵向传送滚轮,所述第四纵向传送滚轮沿纵向方向分别设置在所述第二传送机构的框架体的两侧边;
其中,所述横向为从所述装载腔室至所述缓存腔室的方向。
7.根据权利要求3或6所述的设备前端模块,其特征在于,还包括:清洗腔室;
所述装载腔室、所述清洗腔室、所述缓存腔室和所述卸载腔室沿一条直线依次布置;或者,
所述装载腔室、所述缓存腔室、所述清洗腔室和所述卸载腔室沿一条直线依次布置。
8.根据权利要求4或6所述的设备前端模块,其特征在于,还包括:清洗腔室;
所述装载腔室、所述清洗腔室、所述缓存腔室沿第一直线依次布置,所述缓存腔室和所述卸载腔室沿第二直线依次布置,所述第一直线与所述第二直线相交;
所述装载腔室和所述缓存腔室沿第三直线依次布置,所述缓存腔室、所述清洗腔室和所述卸载腔室沿第四直线依次布置,所述第三直线与所述第四直线相交;或者,
所述装载腔室和所述缓存腔室沿第五直线依次布置,所述缓存腔室和所述卸载腔室沿第六直线依次布置,所述清洗腔室和所述缓存腔室沿第七直线依次布置,且所述第六直线分别与所述第五直线及所述第七直线相交。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造