[实用新型]一种叠层串联太阳能电池有效
| 申请号： | 201820830460.0 | 申请日： | 2018-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN208580756U | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 乔秀梅;刘琦;童翔 | 申请（专利权）人： | 东泰高科装备科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0725 | 分类号： | H01L31/0725;H01L31/0735;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王文君;陈征 |
| 地址： | 102209 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电池 本实用新型 串联 太阳能电池 石墨烯 隧穿结 叠层 多结 双结 太阳能子电池 导电性 单层石墨烯 额外消耗 制作工艺 透光性 重掺杂 扩散 吸收 改进 | ||
【权利要求书】：
1.一种叠层串联太阳能电池，其特征在于，包括双结或多结层叠设置的III-V族子电池，相邻的子电池间通过单层石墨烯进行串联。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述单层石墨烯通过直接生长法或转移生长法设置于两个子电池之间。
3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，从下至上，所述子电池依次包括层叠设置的GaAs子电池、单层石墨烯和GaInP子电池。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述GaAs子电池从下至上包括GaAs子电池的背场层、GaAs基极、GaAs发射极和GaAs子电池的窗口层。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池，其特征在于，所述GaInP子电池从下至上包括形成于所述石墨烯上GaInP子电池的背场层、GaInP基极、GaInP发射极和GaInP子电池的窗口层。
6.根据权利要求3～5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述GaAs子电池的厚度为2.5～3.5微米。
7.根据权利要求3～5任一项所述的太阳能电池，其特征在于，所述GaInP子电池的厚度为0.5～1.0微米。
8.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述GaInP子电池的厚度为0.5～1.0微米。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
