[实用新型]一种熔丝状态检测装置

说明书

本申请公开了一种熔丝状态检测装置，包括：并联的电流源、标准电阻和熔丝；第一电流镜，与电流源、标准电阻和熔丝耦接，用于将电流源提供的电流镜像到标准电阻和熔丝各自所在的支路；比较电路，包括第一开关元件和第二开关元件。熔丝状态包括熔断状态或未熔断状态，比较电路在熔丝处于熔断状态或未熔断状态下的输出电平相反，从而判断出熔丝当前所处的状态。通过上述方式，本申请能够降低读取熔丝状态时所需的电流。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种熔丝状态检测装置。

背景技术

半导体技术领域中为了调整芯片的性能或参数(例如，调整电压或者电流基准源等)，常常通过修调熔丝的方式来达到调整的目的，熔丝的类型包括金属、多晶硅等。

熔丝状态包括熔断状态和未熔断状态，传统判断熔丝状态的电路如图1所示，该电路包括熔丝10、与熔丝10串联的NMOS管(N型金属氧化物半导体)12，熔丝10与NMOS管12耦接处定义为节点A，NMOS管12的控制端120接收读取Read信号；当需要读取熔丝10状态时，读取Read信号为高电平信号，NMOS管12导通；若熔丝10处于未熔断状态，熔丝10本身的电阻很小，节点A处输出高电平；若熔丝10处于熔断状态，熔丝10的电阻非常大，节点A处输出低电平。

本申请的发明人在长期研发过程中发现，由于有些熔丝10，例如多晶硅熔丝，在熔断后的电阻分布较广，为保证准确读取熔丝10的状态，图1中NMOS管12的等效电阻值不能过大；当熔丝10处于未熔断状态时，此时NMOS管12导通，NMOS管12的等效电阻值和熔丝10的电阻很小，这将导致熔丝10与NMOS管12所在的支路电流很大，这对电源电流输出能力要求较高。

实用新型内容

本申请主要解决的技术问题是提供一种熔丝状态检测装置，能够降低读取熔丝状态时所需的电流。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：提供一种熔丝状态检测装置，包括：并联的电流源、标准电阻和熔丝，所述电流源或所述标准电阻或所述熔丝的第一端接收第一电源电压，所述电流源或所述标准电阻或所述熔丝的第二端接收第二电源电压，所述第一电源电压与所述第二电源电压不相等；第一电流镜，与所述电流源、所述标准电阻和所述熔丝耦接，用于将所述电流源提供的电流镜像到所述标准电阻和所述熔丝各自所在的支路；比较电路，包括第一开关元件和第二开关元件，其中，所述第一开关元件位于所述标准电阻所在的支路上，其第一通路端与所述标准电阻的第二端耦接，其第二通路端接收所述第二电源电压；所述第二开关元件位于所述熔丝所在的支路上，其第一通路端与所述熔丝的第二端耦接，其第二通路端接收所述第二电源电压，其控制端与所述第一开关元件的控制端耦接；其中，所述熔丝状态包括熔断状态或未熔断状态，所述第二开关元件的所述第二通路端在所述熔丝处于熔断状态或未熔断状态下的输出电平相反，从而判断出所述熔丝当前所处的状态。

本申请的有益效果是：区别于现有技术的情况，本申请所提供的熔丝状态检测装置包括：电流源、标准电阻、熔丝、第一电流镜和比较电路，其中，电流源、标准电阻和熔丝并联，第一电流镜将电流源提供的电流镜像到标准电阻和熔丝所在的支路，比较电路包括第一开关元件和第二开关元件，第一开关元件位于标准电阻所在的支路上，其第一通路端与标准电阻的第二端耦接，其第二通路端接收第二电源电压；第二开关元件位于熔丝所在的支路上，其第一通路端与熔丝的第二端耦接，其第二通路端接收第二电源电压，其控制端与第一开关元件的控制端耦接；本申请所提供的方案利用标准电阻与熔丝的阻值相比较，当熔丝处于未熔断状态时，熔丝的阻值小于标准电阻的阻值，第二开关元件的第二通路端输出第一电平，当熔丝处于熔断状态时，熔丝的阻值大于标准电阻的阻值，第二开关元件的第二通路端输出第二电平，第一电平和第二电平相反，从而可以判断出熔丝当前所处的状态；本申请所提供的利用标准电阻与熔丝的阻值进行比较的方法，电流源无需提供大电流，可以设定为较小的值，从而可以降低读取熔丝状态时所需的电流。

附图说明