[实用新型]运算放大电路

权利要求书

1.一种运算放大电路，其特征在于，包括：

控制单元，根据输入信号和输出信号产生输出控制信号；

输出单元，与所述控制单元相连接以接收所述输出控制信号，所述输出单元用于在所述输出控制信号的作用下产生输出电流，所述输出单元包括输出电容，所述输出电容被所述输出电流充电或放电以产生所述输出信号；

过流保护单元，与所述控制单元和所述输出单元相连，所述过流保护单元根据所述运算放大电路的工作温度获得温控电流，当所述工作温度大于等于设定温度时，所述温控电流与所述工作温度正相关，所述过流保护单元根据所述温控电流调节所述输出控制信号以限制所述输出电流。

2.根据权利要求1所述的运算放大电路，其特征在于，所述控制单元包括运算放大器，所述运算放大器的第一输入端和第二输入端分别接收所述输入信号和所述输出信号，所述运算放大器的输出端提供所述输出控制信号。

3.根据权利要求1所述的运算放大电路，其特征在于，

当所述工作温度小于等于所述设定温度时，所述温控电流近似于0，

当所述工作温度大于等于所述设定温度时，所述温控电流与所述工作温度呈线性关系。

4.根据权利要求3所述的运算放大电路，其特征在于，所述输出控制信号包括第一控制信号和第二控制信号，

所述输出单元还包括依次串联在高电源电压和低电源电压之间具有P沟道的第一晶体管和具有N沟道的第二晶体管，所述第一晶体管和所述第二晶体管分别受控于所述第一控制信号和所述第二控制信号，所述第一晶体管或所述第二晶体管导通以产生所述输出电流。

5.根据权利要求4所述的运算放大电路，其特征在于，所述过流保护单元包括：

第三晶体管，第一端接收所述高电源电压，第二端与所述第一晶体管的控制端相连，控制端接收第一采样电压；

第四晶体管，第一端接收所述低电源电压，第二端与所述第二晶体管的控制端相连，控制端接收第二采样电压；以及

电压产生模块，根据所述温控电流产生所述第一采样电压和所述第二采样电压，

当所述温控电流大于等于设定阈值且所述第一控制信号有效时，所述第一采样电压导通所述第三晶体管，当所述温控电流大于等于所述设定阈值且所述第二控制信号有效时，所述第二采样电压导通所述第四晶体管。

6.根据权利要求5所述的运算放大电路，其特征在于，所述温控电流包括第一温控电流和第二温控电流，所述电压产生模块包括：

第一电流源，根据所述工作温度提供所述第一温控电流，并通过电流镜结构将第一基准电流和所述第一温控电流之间的差电流转换成第一采样电流；

第二电流源，根据所述工作温度提供所述第二温控电流，并通过电流镜结构将第二基准电流和所述第二温控电流之间的差电流转换成第二采样电流；

第一电阻，根据所述第一采样电流在所述第三晶体管的控制端提供所述第一采样电压；以及

第二电阻，根据所述第二采样电流在所述第四晶体管的控制端提供所述第二采样电压。

7.根据权利要求6所述的运算放大电路，其特征在于，

所述第三晶体管包括N沟道场效应管，所述第一电阻的第一端接收所述高电源电压，所述第一电阻的第二端与所述第三晶体管的控制端相连，所述第一采样电流由所述第一电阻的第一端流向第二端；

所述第四晶体管包括P沟道场效应管，所述第二电阻的第一端接收低电源电压，所述第二电阻的第二端与所述第四晶体管的控制端相连，所述第二采样电流由所述第二电阻的第二端流向第一端。

8.根据权利要求7所述的运算放大电路，其特征在于，

所述第一温控电流等于所述第二温控电流，所述第一基准电流等于所述第二基准电流，

所述第一电流源中的电流镜结构与所述第二电流源中的电流镜结构具有相等的比例系数。

9.根据权利要求8所述的运算放大电路，其特征在于，

所述高电源电压小于等于所述第一温控电流、所述比例系数与所述第一电阻的阻值的乘积。