[实用新型]一种体电阻淬灭雪崩光电二极管阵列探测器有效
申请号: | 201820841046.X | 申请日: | 2018-06-01 |
公开(公告)号: | CN211907450U | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 袁俊;黄兴;倪炜江;徐妙玲;黎磊;窦娟娟;耿伟 | 申请(专利权)人: | 北京世纪金光半导体有限公司 |
主分类号: | H01L31/107 | 分类号: | H01L31/107 |
代理公司: | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人: | 张永革 |
地址: | 100176 北京市大*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电阻 雪崩 光电二极管 阵列 探测器 | ||
1.一种体电阻淬灭雪崩光电二极管阵列探测器,所述探测器的每个雪崩二极管器件单元从上至下依次包括阳极电极、减反射钝化层、N+区、P+雪崩结、P-外延层及体淬灭电阻区、P++衬底层和背面阴极电极;其特征在于,所述P-外延层底部,相邻的体淬灭电阻区之间设置有P+掩埋隔离区。
2.如权利要求1所述的体电阻淬灭雪崩光电二极管阵列探测器,其特征在于,所述 P+掩埋隔离区为通过直接注入实现的P+掩埋隔离区,或者先做一次P-外延,然后注入P+掩埋隔离区,再做第二次P-外延来实现的P+掩埋隔离区。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的