[实用新型]一种体电阻淬灭雪崩光电二极管阵列探测器有效

专利信息
申请号: 201820841046.X 申请日: 2018-06-01
公开(公告)号: CN211907450U 公开(公告)日: 2020-11-10
发明(设计)人: 袁俊;黄兴;倪炜江;徐妙玲;黎磊;窦娟娟;耿伟 申请(专利权)人: 北京世纪金光半导体有限公司
主分类号: H01L31/107 分类号: H01L31/107
代理公司: 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 代理人: 张永革
地址: 100176 北京市大*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 电阻 雪崩 光电二极管 阵列 探测器
【权利要求书】:

1.一种体电阻淬灭雪崩光电二极管阵列探测器,所述探测器的每个雪崩二极管器件单元从上至下依次包括阳极电极、减反射钝化层、N+区、P+雪崩结、P-外延层及体淬灭电阻区、P++衬底层和背面阴极电极;其特征在于,所述P-外延层底部,相邻的体淬灭电阻区之间设置有P+掩埋隔离区。

2.如权利要求1所述的体电阻淬灭雪崩光电二极管阵列探测器,其特征在于,所述 P+掩埋隔离区为通过直接注入实现的P+掩埋隔离区,或者先做一次P-外延,然后注入P+掩埋隔离区,再做第二次P-外延来实现的P+掩埋隔离区。

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