[实用新型]一种制备太阳能电池的焊接装置有效
申请号: | 201820846048.8 | 申请日: | 2018-06-01 |
公开(公告)号: | CN208271911U | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 杨秀清;彭福国;胡德政;徐希翔;李沅民 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/02 | 分类号: | H01L31/02;H01L31/18;B23K3/04;B23K3/08 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 艾娟;张奎燕 |
地址: | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 加热器 焊接装置 加热底板 太阳能电池 焊接 阶梯式控温 制备 电池芯片 焊接拉力 均匀加热 | ||
一种制备太阳能电池的焊接装置。该焊接装置包括加热底板和加热器,所述加热器设置在所述加热底板上方,其中,所述加热底板或所述加热器设置为能够进行阶梯式控温,或者,所述加热底板和所述加热器设置为能够进行阶梯式控温。该焊接装置可实现在较低温度下对太阳能电池进行焊接,且更精确的控制焊接温度、均匀加热,有效改善焊接拉力,提供可靠的焊接,并且不损坏电池芯片。
技术领域
本实用新型涉及但不限于太阳能电池领域,具体地,涉及但不限于一种制备太阳能电池的焊接装置。
背景技术
随着太阳能电池技术的快速发展,人们对太阳能电池产品运用的需求越来越多,且不再仅仅满足于太阳能电池的发电需求,更需要其满足方便携带、可折叠或者可与现有产品直接融合的性能,柔性太阳能电池组件应运而生。
晶体硅太阳能电池包括单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池和异质结太阳能电池(例如Heterojunctionwith Intrinsic Thinlayer(HIT),本征薄膜异质结太阳能电池)等,HIT电池由于其低温制备、工艺步骤简单和温度系数良好等优点,有望成为光伏行业主流技术之一。
太阳能电池各膜层制备完成后,还需要进行后续组件的制备,后续组件制备包括栅线制备、电流引出导线制备、电池芯片互联、组件层压等工序。常规晶体硅电池的烧结和焊接技术均为高温技术,焊接温度通常超过300℃。
常规晶体硅电池的电流引出导线多采用涂锡铜带,其以铜基材为导电主体,表面涂层一般为锡铅合金,锡铅比例约60:30。使用涂锡铜带作为电流引出导线,将其焊接到栅线电极时的焊接温度在300℃左右。焊接电流引出导线时,可通过红外灯管热辐射,使得涂锡铜带表面的锡铅熔化,从而将导线与晶体硅电池的银浆主栅线粘结,形成导电通路。常规的晶体硅电池的焊接装置加热底板的温度固定,一般采用焊接灯管作为焊接的加热源,使涂锡铜带导线表面融化,从而完成涂锡铜带导线与主栅线的焊接。焊接灯管的特点是升温快速,缺点是温度控制精度差。但是由于晶体硅电池耐高温,对温度波动不敏感,因此,采用常规的晶体硅电池的焊接装置进行晶体硅电池的焊接,电池芯片性能不易受温度影响。
实用新型内容
以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。
本实用新型的发明人发现,由于异质结电池(例如:HIT电池)采用低温工艺(一般低于200℃)制作,与常规晶体硅电池不同,其电极金属化采用的是低温银浆。而在低温固化导电银浆中,基体树脂的耐热性差,不能烧结处理,焊接温度一旦达到200℃,低温银浆就很容易与氧化铟锡薄膜表面发生脱离。
因此,HIT电池若使用传统涂锡铜带作为导线、采用常规晶体硅电池的高温焊接方法进行焊接,将会对HIT电池各膜层的材料造成损坏,影响电池的参数及光电转换效率,甚至会损坏电池芯片,增加电池碎片率;并且难以寻找到合适的焊接工艺条件,容易出现虚焊或过焊。
HIT电池采用常规焊接工艺,主要有两大问题:1)焊接后涂锡铜带导线与电池芯片主栅线之间的拉力过低,无法保证焊接的可靠性;2)制作得到的组件,在进行可靠性测试,尤其是冷热循环试验时,焊接界面脱落情况严重,导致组件功率衰减过大。
本实用新型还提供了一种用于制备太阳能电池的焊接装置。该焊接装置包括加热底板和加热器,加热器设置在加热底板上方,其中,加热底板或加热器设置为能够进行阶梯式控温,或者,加热底板和加热器设置为能够进行阶梯式控温。
阶梯式的控温,能够更精确的控制焊接温度,均匀加热,避免过高焊接温度对电池性能造成不利影响的同时,保证了焊接的可靠性。
在一些实施方式中,加热底板或加热器可以包括复数个加热区,或者,加热底板和加热器可以包括复数个加热区。
在一些实施方式中,加热底板的加热区可以依次设置为预热区、升温区、焊接区、降温区以及保持区,使得所述加热底板能够进行阶梯式控温。
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