[实用新型]具有最大可视角的吃锡凹槽的预成型导线架及其封装组件有效
申请号: | 201820847851.3 | 申请日: | 2018-06-01 |
公开(公告)号: | CN208589411U | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 黄嘉能 | 申请(专利权)人: | 长华科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;H01L23/495 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 史瞳;谢琼慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 预成型 导线架 胶层 可视角 上表面 下表面 导线架封装 吃锡面 第一区 切割道 中心区 凹陷 引脚 本实用新型 封装组件 第一径 外围区 底面 环围 界定 嵌设 裸露 | ||
一种具有最大可视角的吃锡凹槽的预成型导线架,包含预成型胶层及导线架。所述预成型胶层具有中心区、环围所述中心区的外围区、彼此反向的上表面及下表面,及多个自切割道的所述上表面朝向所述下表面方向凹陷的吃锡凹槽,其中,所述吃锡凹槽具有位于所述切割道的第一区,所述第一区具有最大的第一径宽。所述导线架具有多条嵌设于所述预成型胶层的引脚,每一条引脚具有连接分别自所述下表面露出的两个底面并朝向所述上表面方向凹陷的吃锡面,所述吃锡面与所述预成型胶层共同界定出其中一个吃锡凹槽并自所述吃锡凹槽对外裸露。此外,本实用新型还提供一种利用所述最大可视角的吃锡凹槽的预成型导线架封装而得的导线架封装组件。
技术领域
本实用新型涉及一种预成型导线架及封装组件,特别是涉及一种具有最大可视角的吃锡凹槽的预成型导线架及其封装组件。
背景技术
参阅图1,图1是利用一般四方扁平无外引脚(QFN,quad flat no-lead)封装的半导体封装结构,包含一芯片座11、环围所述芯片座11并与所述芯片座11成一间隙间隔的引脚12、一设置于所述芯片座11顶面的半导体芯片13、用于将所述半导体芯片13与所述引脚12电连接的导线14,及一封装胶层15。由于QFN没有向外延伸的引脚,因此,所述半导体封装结构可大幅减小封装尺寸。然而,也因为没有向外延伸的引脚,因此,当要将此半导体封装结构应用于后续与其它电路板100焊接时,用于焊接的焊料101一般难以从所述引脚12的底面121经由回焊(reflow)爬升至所述引脚12的侧面122。然而,由于所述半导体封装结构与所述其它电路板100连接的机械强度与焊料101及引脚12的接触面积有极大的关系,且当所述焊料101无法自所述引脚12的侧面显露时,于制程过程也无从直接从外观检测得知引脚12与焊料101的焊接状况,而增加了检测的难度。
参阅图2,为了让焊料更易于在引脚外露的边缘回焊,增加引脚与焊料的接触面积,以提升焊接的强度及可靠度,以及可便于目视确认封装组件的引脚与焊料的焊接质量,美国第2016/0148877A1早期公开号专利案,揭示利用将半导体组件打线封装完成后,利用两次切割的方式,先以一较宽的切割刀切割各引脚12(图2仅显示其中一个引脚12)外露的部分底面而形成一凹槽13,接着,于所述引脚12与所述凹槽13上形成一层电镀层14,最后,再以另一较窄的切割刀将所述引脚12切断,得到单个的QFN封装组件,并使所述QFN封装组件经切割后外露的引脚12的侧面可产生一断差结构15。因此,当将所述QFN封装组件与其它电路板(图未式)经由焊料连接时,焊料可借由所述引脚12的所述断差结构15更易于从所述引脚12的底面回焊(reflow)至侧面,而可与所述引脚12有较多的接触面积,而得以增加所述QFN封装组件与所述其它电路板的接合强度,并可借由观测回焊至侧面的焊料而得知所述引脚12与焊料的接合状况。也就是说,为了在各引脚12的侧面形成所述断差结构15,于封装后需要再进行两次切割方可达成,然而,多次切割不仅耗时且易损耗切割刀具而增加了制程成本。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种具有最大可视角的吃锡凹槽的预成型导线架。
本实用新型所述具有最大可视角的吃锡凹槽的预成型导线架,包含预成型胶层,及导线架。
于所述预成型胶层定义多条彼此纵横间隔交错排列的切割道,及多个由两两纵横相邻交错的切割道所定义出的芯片设置单元,其中,每一个芯片设置单元具有中心区、环围所述中心区的外围区,且所述预成型胶层具有彼此反向的上表面及下表面,及多个自所述切割道的所述下表面朝向所述上表面方向凹陷的吃锡凹槽,其中,每一个吃锡凹槽具有位于所述切割道的第一区,及分别位于所述第一区的两端并与相邻的所述外围区邻接的第二区,所述第一区具有第一径宽,所述第二区具有第二径宽,且所述第一径宽大于所述第二径宽。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造