[实用新型]一种防遮挡可增容的双玻光伏组件有效
申请号: | 201820848057.0 | 申请日: | 2018-05-25 |
公开(公告)号: | CN208208773U | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 姚远;李静;姚建新;郑会刚;张东;田娜 | 申请(专利权)人: | 巨力新能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/048 | 分类号: | H01L31/048;H01L31/044;H02S40/34 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 赵倩 |
地址: | 072550*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池串 遮挡 双玻光伏组件 太阳能电池片 本实用新型 光伏接线盒 电池片层 光伏电站 背光面 玻璃层 层压件 可增容 光电转换效率 光伏组件阵列 旁路二极管 光伏组件 输出功率 受光面 组电池 最大化 上端 并联 层压 发电量 电站 保证 | ||
本实用新型公开一种防遮挡可增容的双玻光伏组件,包括层压件和光伏接线盒,光伏接线盒设置于层压背光面最上端,层压件由受光面至背光面依次包括第一玻璃层、第一EVA层、电池片层、第二EVA层和第二玻璃层,电池片层包括若干组电池串组,电池串组包括若干片太阳能电池片,相邻两个电池串组成电池串组,电池串组最下方的太阳能电池片并联一组旁路二极管。本实用新型提升光伏组件电站的光电转换效率,即使是光伏组件阵列遮挡情况下,仍能够最大化输出功率,最终达到提高光伏电站的整体发电量和保证光伏电站安全性的目的。
技术领域
本实用新型涉及光伏领域,特别是涉及一种防遮挡可增容的双玻光伏组件。
背景技术
常见的光伏组件电站有地面光伏组件电站和屋顶光伏组件电站,这些电站的组件安装方式一般是安装在固定支架上,朝向太阳并与地面有一定的倾角以获得最大的太阳光入射,产生更多的电能,如图5所示,正常阳光照射在双玻光伏组件上时,且电池阵列布置合理时,不会出现太阳光被遮挡的情况。
因此,在光伏组件电站设计中,电池阵列的布置非常重要。阵列间的距离对电站的输出功率和转换效率有较大的影响,如安装不妥,后排的太阳光将被前排遮挡,从而导致整个光伏阵列发电功率急剧下降甚至光伏系统的损坏。光伏阵列最小间距的确定原则为冬至当天的上午9:00至下午3:00光伏方阵不应被遮挡。
但是实际情况中很多时候,特别是冬季,此最小间距下,上午九点以前,下午三点以后,如图6所示,组件最下排电池片是会存在一定的遮挡,这样造成整个组件的电池串被旁路,光伏组件输出功率损失极大。组件最下排电池片被遮挡后,将被当作负载消耗其他有光照的电池片所产生的能量,被遮挡电池片温度会迅速升高,形成热斑效应。如果增加阵列间距,无疑会增加用地成本、减少电站容量。如果增大组件倾斜角度或升高阵列支架,势必增加钢材使用量。
对于大型地面光伏电站,土地成本所占比例较大,在有限的土地面积上安装尽可能多的组件,有利于缩短投资回收期增加后期收益。因此急需一种光伏组件,既可以在有限的土地面积上安装尽可能多的的组件,又可以避免某时段阵列遮挡造成的损失。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种防遮挡可增容的双玻光伏组件,以解决上述现有技术存在的问题,提升光伏组件电站的光电转换效率,即使是光伏组件阵列遮挡情况下,仍能够最大化输出功率,最终达到提高光伏电站的整体发电量和保证光伏电站安全性的目的。
为实现上述目的,本实用新型提供了如下方案:
本实用新型提供一种防遮挡可增容的双玻光伏组件,包括层压件和光伏接线盒,所述光伏接线盒设置于层压件背光面最上端,所述层压件由受光面至背光面依次包括第一玻璃层、第一EVA层、电池片层、第二EVA层和第二玻璃层,所述电池片层包括若干组电池串组,每组所述电池串组包括若干个电池串,所述电池串包括竖直方向排列的若干片太阳能电池片,若干片所述太阳能电池片间通过所述太阳能电池片内设置有的焊带相互串联,每组所述电池串通过所述焊带串联,相邻每组所述电池串组通过焊带相互串联,每组所述电池串组最下方的所述太阳能电池片并联有旁路二极管。
优选的,所述电池串包括所述太阳能电池片数目为10-16片。
优选的,所述光伏接线盒采用分体式接线盒。
优选的,所述分体式接线盒与所述电池串组并联。
本实用新型公开了以下技术效果:可以避免上午9点前、下午3点后因阵列遮挡造成的功率损失,可以延长光伏电站有效工作时间,提高了光伏电站的整体发电量;同时还可以适当缩短阵列间距,增加光伏电站安装容量,有利于缩短投资回收期增加后期收益。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的