[实用新型]一种太阳能电池有效
| 申请号： | 201820850034.3 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN208622738U | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 郁操 | 申请（专利权）人： | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0256;H01L31/0264;H01L31/0236 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 邢惠童 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区亦*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基薄膜层 掺杂硅 本征薄膜层 太阳能电池 衬底 晶硅 本实用新型 透明导电层 入射光 太阳能电池领域 电池效率 吸收损耗 依次设置 可透过 电极 | ||
1.一种太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池包括：
晶硅衬底(1)；
依次设置在所述晶硅衬底(1)的至少一面上的本征薄膜层(2)、掺杂硅基薄膜层(3)、透明导电层(4)和电极(5)；
所述掺杂硅基薄膜层(3)的面积小于所述本征薄膜层(2)的面积。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述本征薄膜层(2)上未覆盖掺杂硅基薄膜层(3)的区域填充有透明导电层(4)。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂硅基薄膜层(3)包括至少两个掺杂硅基薄膜单元，且所述至少两个掺杂硅基薄膜单元不连续。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，在所述至少两个掺杂硅基薄膜单元不连续的区域上填充有透明导电层(4)。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂硅基薄膜单元呈条状。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂硅基薄膜层(3)包括镂空区。
7.根据权利要求6所述的太阳能电池，其特征在于，所述镂空区填充有透明导电层(4)。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述掺杂硅基薄膜层(3)为n型掺杂层或p型掺杂层。
9.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述晶硅衬底(1)为n型单晶硅片或p型单晶硅片；和/或所述本征薄膜层(2)包括本征非晶硅薄膜；和/或所述透明导电层(4)包括透明导电氧化物层；和/或所述电极(5)包括银栅和/或铜电极。
10.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，在所述晶硅衬底(1)的不同面上的所述掺杂硅基薄膜层(3)的导电类型不同。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
