[实用新型]一种LED外延芯片

说明书

本实用新型公开了一种LED外延芯片，该LED外延芯片中主要用于发光的功能层包括多个柱状的发光单元，在多个发光单元之间形成有空气间隙。当发光单元发射出光线时，该光线会在发光单元与空气间隙这两种界面之间发生散射效应，从而增加LED外延芯片的出光率；同时由于空气间隙的存在，发光单元所产生的热量会通过空气间隙极快的传递出LED外延芯片，从而增加LED外延芯片的散热效果。

技术领域

本实用新型涉及LED技术领域，特别是涉及一种LED外延芯片。

背景技术

随着近年来科技不断的进步，LED(发光二极管)技术得到了极大的发展。相比如传统的照明设备，LED具有寿命长、高效可靠、照明亮度均匀、不含有毒物质等优点，被广泛的应用在医疗、照明等人们日常生活的领域。

对于LED光照设备来说，其最主要的发光元件为LED外延芯片。在LED外延芯片中空穴与电子这两种载流子会复合而发出一定波长的光线，而LED外延芯片在工作的同时也会产生一定的热量。

在现有技术中，LED外延芯片的出光率普遍较低，同时其散热性能也普遍较差。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种LED外延芯片，可以在有效增加LED外延芯片出光效率的同时增加其散热性能。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种LED外延芯片，所述LED外延芯片包括：

相对设置的第一衬底和第二衬底；

位于所述第一衬底朝向所述第二衬底一侧表面的过渡层；

位于所述过渡层朝向所述第二衬底一侧表面的功能层；其中，所述功能层包括多个柱状的发光单元，多个所述发光单元之间形成有空气间隙；所述功能层朝向所述第二衬底一侧表面与所述第二衬底固定连接；

与所述发光单元一端电连接的第一电极，与所述发光单元另一端电连接的第二电极。

可选的，所述第一衬底为蓝宝石衬底，所述第二衬底为p型硅衬底；

所述发光单元包括：

柱状的量子阱有源区；

位于所述量子阱有源区朝向所述第一衬底一侧表面，且与所述过渡层固定连接的第一n型外延层；

位于所述量子阱有源区朝向所述第二衬底一侧表面，且与所述第二衬底固定连接的p型外延层。

可选的，所述功能层还包括：

位于所述发光单元与所述过渡层之间的第二n型外延层；其中，所述第二n型外延层与所述过渡层朝向所述第二衬底一侧表面相接触且固定连接，所述第一n型外延层与所述第二n型外延层朝向所述第二衬底一侧表面相接触且固定连接；所述第二n型外延层中电子浓度大于所述第一n型外延层中电子浓度。

可选的，所述p型外延层包括：

位于所述量子阱有源区朝向所述第二衬底一侧表面的p型AlGaN层；

位于所述p型AlGaN层朝向所述第二衬底一侧表面，且与所述第二衬底固定连接的p型GaN层。

可选的，所述发光单元还包括：

位于所述量子阱有源区与所述第一n型外延层之间的电子阻挡层。

可选的，所述功能层还包括：

位于所述发光单元朝向所述第二衬底一端与所述第二衬底之间的镜面反射层。

可选的，所述第一衬底朝向所述第二衬底一侧的表面预先刻蚀有纳米图形。

可选的，所述过渡层包括：