[实用新型]一种微波单路低杂讯降频器有效

专利信息
申请号: 201820862487.8 申请日: 2018-06-05
公开(公告)号: CN208209903U 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 余江;袁萍;洪加亮;钟艳 申请(专利权)人: 深圳市平方兆赫科技有限公司
主分类号: H03D7/16 分类号: H03D7/16
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 邓义华;廖苑滨
地址: 518116 广东省深圳市龙岗区宝龙*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 支路 垂直极化信号 水平极化信号 射频放大器 低杂讯降频器 依次连接 单路 集成电路 微波 集成电路连接 本实用新型 射频通信 稳压输出 输出端 校准器 可用 内置 应用
【权利要求书】:

1.一种微波单路低杂讯降频器,其特征在于:所述微波单路低杂讯降频器包括用于稳压输出的集成电路,与集成电路连接的水平极化信号支路和垂直极化信号支路,以及校准器和IF输出端;

所述集成电路内置有射频放大器;

所述水平极化信号支路包括依次连接的射频放大器和水平极化信号端子;

所述垂直极化信号支路包括依次连接的射频放大器和垂直极化信号端子。

2.根据权利要求1所述的微波单路低杂讯降频器,其特征在于:所述射频放大器包括与集成电路连接的第九电容,第九电容另一端连接有三极管漏极和集成电路,第九电容另一端与集成电路之间依次并联有第十二电容和第七电容,第十二电容另一端和第七电容另一端均接地;三极管的源极接地,三极管的基极连接有第九电阻,第九电阻另一端连接集成电路,还连接水平极化信号端子或垂直极化信号端子;所述第九电阻另一端与集成电路之间依次并联有第十一电容以及第八电容,第十一电容另一端和第八电容另一端俊接地。

3.根据权利要求2所述的微波单路低杂讯降频器,其特征在于:所述第九电容为2.2pF,第十二电容和第十一电容均为0.1uF,第七电容和第八电容均为1nF,第九电阻为51欧姆。

4.根据权利要求1所述的微波单路低杂讯降频器,其特征在于:所述校准器包括集成电路,集成电路第一端依次通过滤波电容C3,并联的第一电阻R1和第二电容C2,分压电路后与集成电路第六端连接,分压电路包括串联的第二电阻R2和第三电阻R3;集成电路第二端通过滤波电容C1和滤波电容C16后连接到集成电路第五端;集成电路第三端接地;所述滤波电容C3和集成电路第一端的公共连接点通过滤波电容C15、滤波电容C6后与集成电路第四端连接。

5.根据权利要求1-4任一所述的微波单路低杂讯降频器,其特征在于:所述微波单路低杂讯降频器工作频段为10.7GHz-12.75GHz。

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