[实用新型]光电传感器有效
申请号: | 201820869839.2 | 申请日: | 2018-06-06 |
公开(公告)号: | CN208333499U | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 李碧洲;孙塔 | 申请(专利权)人: | 艾普柯微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | G01D5/34 | 分类号: | G01D5/34 |
代理公司: | 北京博思佳知识产权代理有限公司 11415 | 代理人: | 林祥 |
地址: | 201210 上海市浦东新区*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 感光芯片 感光区 光电传感器 发光件 遮光墙 电路转接板 非感光区 申请 产品良率 减小 与非 指向 | ||
1.一种光电传感器,其特征在于,包括:
电路转接板;
感光芯片,位于所述电路转接板上;其中,所述感光芯片包括感光区与非感光区;
发光件,位于所述感光芯片的所述非感光区;
遮光墙,位于所述感光芯片的所述非感光区上方,且位于所述感光区与所述发光件之间;在所述发光件指向所述感光区的方向上,所述遮光墙与所述感光区之间存在间隙。
2.根据权利要求1所述的光电传感器,其特征在于,所述遮光墙远离所述感光芯片的表面与所述感光芯片之间的距离大于所述发光件的发光面与所述感光芯片之间的距离。
3.根据权利要求1所述的光电传感器,其特征在于,所述遮光墙与所述感光芯片相接触。
4.根据权利要求3所述的光电传感器,其特征在于,所述遮光墙包括第一遮光体与第二遮光体;
所述第一遮光体位于所述非感光区,所述第二遮光体位于所述第一遮光体上。
5.根据权利要求4所述的光电传感器,其特征在于,所述第一遮光体的材料包括硅。
6.根据权利要求5所述的光电传感器,其特征在于,所述第一遮光体为空白芯片、主动芯片或者被动芯片。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的光电传感器,其特征在于,还包括第一透明封装层;
所述第一透明封装层位于所述电路转接板上,包裹所述感光芯片、发光件以及所述遮光墙,且所述第一透明封装层远离所述电路转接板的表面与所述遮光墙远离所述电路转接板的表面齐平或平行。
8.根据权利要求7所述的光电传感器,其特征在于,还包括第一遮光层;所述第一遮光层上设有第一通孔与第二通孔;
所述第一遮光层位于所述第一透明封装层上,所述第一通孔与所述感光区相对,所述第二通孔与所述发光件相对。
9.根据权利要求3所述的光电传感器,其特征在于,还包括透明罩;
所述透明罩盖合在所述电路转接板上形成容纳所述感光芯片、发光件以及所述遮光墙的密封空间;
所述透明罩靠近所述遮光墙的表面与所述遮光墙接触。
10.根据权利要求9所述的光电传感器,其特征在于,还包括第二遮光层;所述第二遮光层上设有第三通孔与第四通孔;
所述第二遮光层位于所述透明罩的外表面上,所述第三通孔与所述感光区相对,所述第四通孔与所述发光件相对。
11.根据权利要求3所述的光电传感器,其特征在于,还包括第一遮光罩;所述第一遮光罩上设有第五通孔与第六通孔;
所述第一遮光罩盖合在所述电路转接板上形成容纳所述感光芯片、发光件以及所述遮光墙的容纳空间;所述第一遮光罩靠近所述遮光墙的表面与所述遮光墙接触;
所述第五通孔与所述感光区相对,所述第六通孔与所述发光件相对。
12.根据权利要求3所述的光电传感器,其特征在于,还包括第二遮光罩;所述第二遮光罩上设有第一透光区与第二透光区;
所述第二遮光罩盖合在所述电路转接板上形成容纳所述感光芯片、发光件以及所述遮光墙的容纳空间;所述第二遮光罩靠近所述遮光墙的表面与所述遮光墙接触;
所述第一透光区与所述感光区相对,所述第二透光区与所述发光件相对。
13.根据权利要求1所述的光电传感器,其特征在于,所述遮光墙与所述感光芯片之间存在间隙,且所述遮光墙的底面与所述感光芯片之间的间距小于所述发光件的发光面与所述感光芯片之间的间距。
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